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王虫木

铁虫 (著名写手)

路过……
我叫王虫木,我爱爬山!
11楼2011-06-05 19:10:56
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12楼2011-06-10 21:04:18
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lsxscu

铜虫 (初入文坛)

★ ★
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lovibond(金币+1): 鼓励交流 2011-06-27 16:21:49
因为复合主要集中在较深处的复合中心,可能与厚度也可能取决于较高的杂质与缺陷浓度
13楼2011-06-23 16:08:43
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wgznn

铁虫 (初入文坛)

★ ★
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lovibond(金币+1): 鼓励交流 2011-06-27 16:22:22
引用回帖:
Originally posted by sergeant8 at 2011-05-23 17:22:56:
是用单晶硅做的,还是多晶 硅做的?

这是个浅显道理,多晶硅晶体结构不规则,是无法准确检测的,所以必须用区熔炉拉制成单晶硅再进行检测,关于多晶硅P,N型其实在实际生产过程中就是多晶硅中B,P杂质含量来决定的,因为在生产过程中有一道工艺就是要给多晶硅增B,P以此来使多晶硅有一定的导电能力,因为纯多晶硅是不导电的。如果多晶硅中P(磷)相对比较高,那就是所谓的P型,反之B高就是N型。   纯属经验之谈,多多批评~
成功在眼前
14楼2011-06-25 00:51:25
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hokepoly

木虫 (正式写手)

但实际测试中发现N型硅的寿命较高,呵呵
15楼2011-06-26 11:12:21
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Benius

铁虫 (初入文坛)

★ ★
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lovibond(金币+1): 鼓励新虫发帖 2011-06-27 16:22:40
14楼出现了概念上的错误,p型指的是掺B的,N型是指掺p的
16楼2011-06-27 09:54:40
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玉面小飞龙

木虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by Benius at 2011-06-27 09:54:40:
14楼出现了概念上的错误,p型指的是掺B的,N型是指掺p的

你也看出来了  呵呵  我没好意思给他回复
17楼2011-06-27 17:09:27
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wgznn

铁虫 (初入文坛)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by hokepoly at 2011-06-26 11:12:21:
但实际测试中发现N型硅的寿命较高,呵呵

多谢批评,这个没有什么不好意思的啊,呵呵。确实搞错了的……
成功在眼前
18楼2011-06-27 21:10:21
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orchid8299

金虫 (正式写手)

★ ★
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天也潇潇(金币+1): 鼓励新虫交流 2011-08-05 19:07:42
我 也有些疑惑,当电阻率大于0.4Ω.cm时,N型单晶硅少子寿命是比P型的高的,很多文献也是说N型硅的少子寿命比P型的高很多。
   不知道你指的是多晶还是单晶?是化学法的还是冶金法的?
   学习了。
19楼2011-08-05 14:45:31
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xieshsh100

金虫 (小有名气)

★ ★
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天也潇潇(金币+1): 鼓励新虫交流 2011-08-09 14:49:34
P掺杂比较难,所以容易引起掺杂不均,这是工艺方面的因素。
另外,楼主的问题只是一个方面,对于P型和N型Silicon,同样的掺杂浓度下,N型的少子扩散长度应该更长,一方面,N型si中的B-O键极少,减少了对光子的符合,另一方面,N型中电子是多数载流子,电子的扩散系数和迁移能力都比空穴大,而且电子的有效质量比较小
20楼2011-08-09 08:22:25
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