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【求助】请问a-Si:H薄膜中H的原子百分比如何测量？
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H含量在a-Si:H薄膜中有重要作用，其含量不能太高也不能太小，10 at %貌似是最佳的，怎样测量它的原子百分比呢？ 谢谢！ |
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 非晶硅 |
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夕阳西下: 缺陷一般通过光学参数来反映 2011-03-11 13:35:56
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我们现在用的CVD配方，跟Street书上一致，还参考了师兄以前在国外的配方（同样型号的CVD设备），所以膜的质量应该可以从红外光谱中反映出来。 厚度我们还没有测量过，今天打算长3片后，测量红外和台阶仪。从文献中估计，我们的长膜速度差不多在10nm/min，长30min看下能不能出来明显的红外特征。如果没有，就延长长膜时间。 具体的电学性质（如霍尔迁移率、载流子浓度、电导率等）貌似只能用霍尔测试仪测量（我们现在长的是本征膜，霍尔测试应该可以测出来）。光学性质（如介电常数、吸收系数等）打算用椭偏仪测量。但这两个测试都特别贵，所以我们把它们安排在最后，等长膜工艺调得稳定后再测量。 对了，非晶硅薄膜缺陷如何测量呢？这些缺陷能不能通过电学参数反映出来呢？ 非常感谢！ |
22楼2011-03-10 08:57:54
2楼2011-03-03 13:34:29
3楼2011-03-03 13:46:55
4楼2011-03-03 13:56:30
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