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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 【求助】请问a-Si:H薄膜中H的原子百分比如何测量？
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ylkitty

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】请问a-Si:H薄膜中H的原子百分比如何测量？

H含量在a-Si:H薄膜中有重要作用，其含量不能太高也不能太小，10 at %貌似是最佳的，怎样测量它的原子百分比呢？
谢谢！
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1楼 2011-03-03 10:02:35
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ylkitty

金虫 (正式写手)
夕阳西下: 缺陷一般通过光学参数来反映 2011-03-11 13:35:56
引用回帖:
Originally posted by cord at 2011-03-10 00:38:37:
要保证足够的厚度，最好是1微米以上。
判断方法大概是对的，但不是绝对准确。
红外谱测试的峰是对应不同的基团振动模型。
要判断膜好坏还要结合其它特性来确定。

我们现在用的CVD配方，跟Street书上一致，还参考了师兄以前在国外的配方（同样型号的CVD设备），所以膜的质量应该可以从红外光谱中反映出来。
厚度我们还没有测量过，今天打算长3片后，测量红外和台阶仪。从文献中估计，我们的长膜速度差不多在10nm/min，长30min看下能不能出来明显的红外特征。如果没有，就延长长膜时间。
具体的电学性质（如霍尔迁移率、载流子浓度、电导率等）貌似只能用霍尔测试仪测量（我们现在长的是本征膜，霍尔测试应该可以测出来）。光学性质（如介电常数、吸收系数等）打算用椭偏仪测量。但这两个测试都特别贵，所以我们把它们安排在最后，等长膜工艺调得稳定后再测量。
对了，非晶硅薄膜缺陷如何测量呢？这些缺陷能不能通过电学参数反映出来呢？
非常感谢！
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22楼2011-03-10 08:57:54
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styrenes

铁杆木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by ylkitty at 2011-03-03 10:02:35:
H含量在a-Si:H薄膜中有重要作用，其含量不能太高也不能太小，10 at %貌似是最佳的，怎样测量它的原子百分比呢？
谢谢！

a-Si:H薄膜 是什么东西
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2楼2011-03-03 13:34:29
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ylkitty

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by styrenes at 2011-03-03 13:34:29:
a-Si:H薄膜 是什么东西

就是氢化非晶硅（Hydrogenated Amorphous Silicon）。
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3楼2011-03-03 13:46:55
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styrenes

铁杆木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by ylkitty at 2011-03-03 13:46:55:
就是氢化非晶硅（Hydrogenated Amorphous Silicon）。

无机物应该也能做 元素分析。
赞一下(1人) 回复此楼
4楼2011-03-03 13:56:30
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