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kaypu

铁杆木虫 (小有名气)

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[交流] 【求助】关于一些概念的解释

求助各位虫友一些概念的解释：
①MIGS：metal-induced gap state的缩写，感觉与atk中计算MPSH十分相似，具体不清楚怎么回事
②BEIS：band-edge induced state的缩写，应该是由无限长的电极产生的，具体也不太清楚
③量子干涉：quantum interference，在输运中起到的作用是什么？在nanolett. (2010),10. 4260-4265

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1楼 2011-02-10 18:29:50

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acridine

木虫 (正式写手)

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★ ★ ★
kaypu(金币+7): 非常感谢 2011-03-22 07:34:12
zzy870720z(金币+3): 谢谢指教 2011-03-22 08:18:46

引用回帖:

Originally posted by kaypu at 2011-03-21 23:39:56:
分子投影自洽哈密顿量

那我感觉它和metal-induced gap state应该不是一个概念吧。后者应该是金属与半导体形成界面时，形成能量位于半导体gap范围内的电子态。这个态在进入半导体内部之后会迅速衰减。我只是粗略的翻看过一些相关内容，更多的你可以读一读<半导体物理>或<金属半导体接触>的相关书籍。
band-edge induced state这个概念以前没有遇到过。如果与MIGS类似，那么猜测是带边态起到了MIGS中金属的作用，引起了半导体的gap state。至于你说与电极有关，实在是看不出来，可能是指电极提供的band-edge。可以结合上下文看一看是否是这样。
至于你问quantum interference在输运中起到的作用是什么，这个没有必然联系吧，并不是所有的输运问题都依赖于量子相干。瞄了一眼你给的文献，应该是：通过改变分子内不同轨道输运之间的量子相干来影响整个分子的传输性质，因此你的问题应该是quantum interference在这个特例中起到的作用是什么。我相信答案就在文献中吧

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8楼2011-03-22 01:05:35

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kaypu

铁杆木虫 (小有名气)

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引用回帖:

Originally posted by kaypu at 2011-02-10 18:29:50:
求助各位虫友一些概念的解释：
①MIGS：metal-induced gap state的缩写，感觉与atk中计算MPSH十分相似，具体不清楚怎么回事
②BEIS：band-edge induced state的缩写，应该是由无限长的电极产生的，具体也不太清 ...

有知道答案的吗？听说过这两个概念吗？ MIGS 有表示的是 the wacefunction of an electron in the semiconductor must match that of an electron in the metal at the interface 这个和MPSH有联系吗？

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2楼2011-03-02 19:31:15

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