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frank_zhan

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[交流] 【讨论】abint计算ZnO带隙差的太大已有12人参与

我用Abinit计算ZnO的带隙差的太大。计算的带隙才1.1左右。实验值应该是在3.3ev。看样子DFT确实不适合计算半导体的带隙。

[ Last edited by zzy870720z on 2011-1-24 at 20:16 ]

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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com

1楼2011-01-24 16:52:46

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xiaohunhun

木虫 (著名写手)

珊瑚岛混混,小元家老末

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zzy870720z(金币+2): 鼓励讨论交流 2011-02-24 08:38:17

引用回帖:

Originally posted by lzl8181 at 2011-02-23 22:48:40:
差别那么大，能发文章吗？

低档次的水水还有戏，高的很困难了，ZnO这么多年都被人做烂了，资料很多，当练习还差不多。你想发文章还需要找到新的想法和突破口的。要是不着急其实没有关系的，闷在这块调研研究混个一年半载肯定会有属于自己的想法的。很多想法都是时间耗出来的。
印象中有PRB级别的文章MS计算有带隙是0.73的，你用别人的计算条件再引一下大牛的文章，我觉得即使和实验差的很大也是可以被同行接受的。当然你要是能算的与实验更加符合那就更好了。
能不能发文章你得自己上数据库搜啊，看看别人的文章发表情况比较靠谱。你在这里问，说句不好听的，要是有好的想法，也早就自己动手做了发文章了。
你也可以试试用VASP，CASTEP好用但是精度比VASP差不少的。在VASP使用上侯博士是专家可以请教一下他的，呵呵，人家都跟帖了。但我觉得abint效果可能也不错。
我也只是知道一点软件的使用方法，要深究，真的得自己看看代码，研究算法了，这个直到我离开校门也只知道几个名词，汗颜。