| 查看: 2053 | 回复: 9 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【请教】半导体带隙变小
|
|||
| 本人制备了一种纳米材料，测了漫反射，计算得带隙为4.0 eV,相应体材料的带隙为4.3 eV，请高手解释一下？推荐点相关的参考文献 |
回复此楼» 猜你喜欢
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有216人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 关于半导体的光学带隙Eopt和能级带隙Eg
已经有3人回复
- 间接带隙半导体吸收光谱特点
已经有4人回复
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- 半导体价带顶和能带间隙计算？
已经有10人回复
- 如何利用紫外可见漫反射光谱数据计算半导体的带隙能？
已经有12人回复
- 【交流】肖特基接触
已经有15人回复
- 【分享】“用水就能变成半导体”，美国伦斯勒理工学院成功在石墨烯上生成带隙
已经有5人回复
- 【请教】请教一个关于晶体掺杂的问题
已经有3人回复
- 半导体材料的温度效应是怎么回事？什么是半导体量子点的温度效应？
已经有9人回复
- 【求助】PWSCF计算介电极化时为何出现如下提示？
已经有19人回复
- 【交流】测量半导体薄膜的带隙
已经有21人回复
- 【求助】禁带宽度问题
已经有5人回复
7楼2011-01-13 09:57:28
2楼2011-01-11 17:11:34
4楼2011-01-12 23:24:13
5楼2011-01-12 23:35:50
简单回复
newxw3楼
2011-01-12 00:10
回复
！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！
28