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spur

金虫 (正式写手)

纵坐标数值大小可以通过极化方向来调节,但横坐标的数值或者说尖峰位置没办法明显调节.
11楼2011-01-11 16:16:15
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putian

金虫 (小有名气)

★ ★
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gzqdyouxia(金币+1):谢谢提示 2011-01-12 17:24:16
比较一下其他参数,比如GAP看看差别大不大,如果不一样证明结构上还是没有完全重复对方的结果。介电函数对结构很敏感的
12楼2011-01-12 15:01:55
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qiudong1009

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by spur at 2011-01-10 22:13:42:
体系是半导体. Si3N4.有兴趣的朋友也可以试试.很简单的一个任务.

Si3N4是半导体吗?
克己
13楼2011-01-12 16:58:21
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spur

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by qiudong1009 at 2011-01-12 16:58:21:


Si3N4是半导体吗?

Si3N4带隙可能比较大,可能说绝缘体更准确.但半导体跟绝缘体没有本质的区别,对吧?
14楼2011-01-12 21:28:16
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putian

金虫 (小有名气)


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Originally posted by spur at 2011-01-12 21:28:16:

Si3N4带隙可能比较大,可能说绝缘体更准确.但半导体跟绝缘体没有本质的区别,对吧?

在有限温度的时候差别还是比较大的,半导体中载流子比较多,而绝缘体中的比较少,可以忽略不计。因此对其导电性能影响比较大。
15楼2011-01-13 10:17:29
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spur

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by putian at 2011-01-13 10:17:29:


在有限温度的时候差别还是比较大的,半导体中载流子比较多,而绝缘体中的比较少,可以忽略不计。因此对其导电性能影响比较大。

cool! 但在做第一性原理计算时,材料在基态时是半导体还是绝缘体的差别貌似就仅仅来自于带隙宽度大小.
16楼2011-01-13 10:51:40
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lxj1989

金虫 (小有名气)


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我用MS算了光学性质,至今仍未找到文献验证。
17楼2011-01-13 10:53:02
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putian

金虫 (小有名气)

★ ★
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zzy870720z(金币+1):谢谢指教 2011-01-13 12:23:31
引用回帖:
Originally posted by spur at 2011-01-13 10:51:40:

cool! 但在做第一性原理计算时,材料在基态时是半导体还是绝缘体的差别貌似就仅仅来自于带隙宽度大小.

是的,绝对0温理想晶格条件下半导体跟绝缘体没有什么本质区别。其实很多宽带隙半导体就是绝缘体。分界线并不明确。呵呵
18楼2011-01-13 11:02:05
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awmc2008

至尊木虫 (文坛精英)

学习者


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
第一张图是材料的红外光谱,计算时要选IR。你却选了optical,这个计算电子光谱。不一样。
xuexizhe
19楼2011-01-20 19:00:12
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