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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓
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ustbmars

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓 已有5人参与

对离子晶体，例如Al2O3，当需要计算Al+3或O-2离子空位的形成焓时，如何考虑体系的电中性问题？ 敬请指教.
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1楼 2010-12-14 04:34:30
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
youzhizhe(金币+1):谢谢交流。 2010-12-16 23:18:17
电中性是自然满足的。只不过电中性可以定费米能级。
电中性就是p-n+sigma[qc(Xq)]=0
p为价带空穴浓度，n为导带电子浓度，c为X处于带来状态q的浓度,sigma对所有Xq求和。
各种缺陷的形成能都与费米能级有关
那么由形成能可以给出浓度进一步给出费米能级。从而给出那种缺陷更稳定。

[ Last edited by stractor on 2010-12-16 at 23:31 ]
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9楼2010-12-16 23:12:22
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bingmou

金虫 (著名写手)
★
zzy870720z(金币+1):谢谢提示 2010-12-14 09:34:05
体系的电中心不需要你的考虑，VASP会自己加入一个背景抵消的
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2楼2010-12-14 09:28:16
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ustbmars

铜虫 (小有名气)
你说的是在INCAR里通过NELEC设置模拟体系的总价电子数?

但我发现文献里在计算带电缺陷形成焓时, 是利用费米能来调节体系的电中性, 比如下面这篇:

PHYSICAL REVIEW B 80, 064102 2009

是这两种方法都可以, 还是适用场合不同? 能否解释得详细些呢?
引用回帖:
Originally posted by bingmou at 2010-12-14 09:28:16:
体系的电中心不需要你的考虑，VASP会自己加入一个背景抵消的

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3楼2010-12-15 01:12:57
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bingmou

金虫 (著名写手)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
cenwanglai(金币+1):谢谢回复。没看明白。 2010-12-15 15:22:44
引用回帖:
Originally posted by ustbmars at 2010-12-15 01:12:57:
你说的是在INCAR里通过NELEC设置模拟体系的总价电子数?

但我发现文献里在计算带电缺陷形成焓时, 是利用费米能来调节体系的电中性, 比如下面这篇:

PHYSICAL REVIEW B 80, 064102 2009

是这两种方法都可以 ...

我看了一下这片文章，明显的是不用费米能来调节体系的电中性而是计算了形成能和费米能的关系。

[ Last edited by bingmou on 2010-12-16 at 13:08 ]
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4楼2010-12-15 15:13:22
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