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[交流]
【求助完毕】vasp-slab-边界附近原子顶位吸附小分子的结构优化很难收敛吗?
我的表面是p(3*3)大小的,在表面中间吸附、掺杂都能100步内收敛。但是在靠近边界的最表层原子顶位上的吸附(如吸附SO2)结构,力就很难收敛,都300多步了,而且能量在小数点后第三位上上下波动。
同样在边界附近去掉一个最表层原子(O),做一个空位结构,也能较快收敛。但同一系列的自洽计算(ISMEAR=0,SIGMA=0.05),scf的EENTRO~=.03。一般中间缺陷或者吸附结构在scf计算中第六电子步就是0.0000了。
问题:
(1)边界上的缺陷和吸附结构优化有什么要注意的呢?
(2)要增大表面大小,把边界外推,让吸附结构靠近表面中心?
(3)超胞结构优化(cell fixed)边界与表面中心的处理不一样吗?
[ Last edited by cenwanglai on 2011-4-25 at 20:13 ] |
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