应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】虫友们对ISIF取值有什么高见呢
51/1返回列表
查看: 1631  |  回复: 10
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

ustbwgs

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】虫友们对ISIF取值有什么高见呢

虫友们对ISIF取值有什么高见呢，官方说明上说，ISIF大于4时，离子不持豫，我一直认为优化就是改变离子的位置，使我们的结构更好，离子都保持不动了，还优化什么啊，而且这些值一般怎么取呢
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

VASP

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼 2010-12-07 09:20:57
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gavinliu7390

木虫 (著名写手)
★
sunyang1988(金币+1):谢谢指点 2010-12-07 20:47:52
引用回帖:
Originally posted by ustbwgs at 2010-12-07 14:07:57:

我做得是体材料，ISIF该怎么选择呢

一般选3就可以。
回复此楼
11楼2010-12-07 20:46:09
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 11 个回答

first_yg

银虫 (小有名气)
★ ★
ellsaking(金币+2):谢谢详细说明，欢迎常来~ 2010-12-07 10:05:28
看来新手的问题都差不多呵，这几天看了你的几个帖子，都是我也曾经或正在疑惑的问题。
不过我的ISIF最终只能用2了，因为我算的石墨烯表面，看过以前侯博士一个回帖，像这样的低维表面不适合将Z方向体积也优化，会导致真空层减少很多。我试了一下3，确实如此。
但是文献中提到当分子原子吸附于石墨烯表面，浓度很大时，石墨烯晶格会有很大变化。我一度很困惑，那么到底我该怎么办。
最近看了几篇文章，发现是将整个吸附体系作为晶格常数优化的对象，而不是单纯依靠ISIF来计算。觉得这样的方法也不错，就是有些耗时。
啰嗦了这么多，是把最近的心得说出来，不知道对你有没有用。呵呵。
赞一下(1人) 回复此楼
3楼2010-12-07 09:58:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gavinliu7390

木虫 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
ellsaking(金币+2):谢谢指点~ 2010-12-07 10:54:44
优化分两种， 一种是优化离子位置，以保证每个离子的受力趋于0. 二是优化晶格基矢，以使得三个主轴的stress相等， 趋于一个值，而非对角元的stress趋于0，没有剪切力。
赞一下(2人) 回复此楼
4楼2010-12-07 10:45:17
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ustbwgs

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by gavinliu7390 at 2010-12-07 10:45:17:
优化分两种， 一种是优化离子位置，以保证每个离子的受力趋于0. 二是优化晶格基矢，以使得三个主轴的stress相等， 趋于一个值，而非对角元的stress趋于0，没有剪切力。

ISIF大于4时，说明上说得是离子不持豫，
如果改变基矢或者优化离子位置都会改变你原胞中原子的位置啊，
我一直认为：：：如果原胞中所有的原子的位置确定的话，元胞就应该固定下来了吧。还优化什么啊。

优化基矢是什么意思，改变夹角吗？？？那样的话也可以通过改变原子位置达到同样的效果啊。

而且你说的这两种应该是优化时同时用到了吧，不可能是只在一个优化过程中只用一种方法吧，因为我们的结构有可能基矢有一点问题，而离子位置的话应该都有问题。
赞一下 回复此楼
5楼2010-12-07 14:01:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 11 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭