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power1

金虫 (初入文坛)


[交流] 【求助】本征硅薄膜电极制备

大家好,麻烦问一下,本征硅薄膜怎么制作电极?用什么金属,什么工艺?随着晶化率的不同,用的材料和工艺通用吗?请懂得的大虾们详细的告诉小弟一下,谢谢了!
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power1

金虫 (初入文坛)


哪个大虾懂,告诉我啊,急求啊。。。。。。。
2楼2010-11-18 17:07:12
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丫丫680

木虫 (著名写手)


★
power1(金币+1):谢谢参与
捷联惯导
你的专业好高深啊,祝福你早日找到答案
3楼2010-11-18 17:23:42
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soloroc

木虫 (小有名气)


★
power1(金币+1):谢谢参与
通常用金属银
做成栅格装
4楼2010-11-18 21:09:09
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


★
power1(金币+1):谢谢参与
可用铝电极,不过接触电阻稍微大点,呵呵
5楼2010-11-24 10:02:37
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


本征硅,是非晶,微晶?没说明白啊?
6楼2010-11-24 10:03:50
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power1

金虫 (初入文坛)


是本征硅薄膜,我想研究的是晶化率,所以非晶和微晶都要做啊,晶化率不同金属材料还不一样吗?
7楼2010-11-25 09:50:02
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pyy1771kak

木虫 (小有名气)


★
power1(金币+1):谢谢参与
Ag浆烧结
8楼2010-11-25 16:33:48
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


呵呵,晶化率啊,没影响,问问楼主,晶化率的变化,做电极能测晶化率?什么方法?
9楼2010-11-25 18:04:44
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power1

金虫 (初入文坛)


呵呵,做电极怎么能测晶化率呢,测晶化率可以用拉曼,我只是想在本征硅薄膜上做电极啊,7楼的哥们,问一下,要是银浆可以的话用磁控溅射溅射一层银薄膜,之后退火可以吗?Al我试过了,不知道是不是接触电阻太大还是自身本征薄膜电阻太大的关系,测量I-V基本测不出电流,只有0.1nA左右,电阻大到10000M欧左右,和空接差不多了,问一下大家,本征硅薄膜自身电阻有那么大吗???
10楼2010-11-25 19:14:47
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


★
power1(金币+1):谢谢参与
本征硅的电阻很大,非晶的暗电导率在-10量级,光电导率在-5量级,微晶硅的暗电导率在-7量级,光电导率在-5量级。
请重读一下金半接触结的物理课本。
还有你的膜厚度是多少,搞硅薄膜的都是计算电导率,而不是直接说电流。
11楼2010-11-25 23:15:04
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andyzhao5858

木虫 (正式写手)


我还在纳闷呢,晶化率和电极有啥关系呢。电极测电学性能,用溅射方法还不如你直接焊锡点几个点测试呢,这个接触电阻感觉要小些,可以试试,这是个土办法,倒是方便,哈哈,顺便说一下,你做的本征模晶化率不同,电导率会不同啊,电阻在wM欧姆级别很正常
12楼2010-11-26 08:47:08
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power1

金虫 (初入文坛)


谢谢你们,呵呵,请问一下有什么方法能判断本征薄膜上的电极是不是欧姆接触吗?我试过在薄膜表面做两个电极,测I-V,由于本征薄膜电阻率太大,测量出的电流太小(-10量级),即使屏蔽了也不稳定,无法从I-V是否是直线来判断啊,大家知道有什么方法判断吗?或者有知道用什么金属肯定能和本征硅薄膜形成欧姆接触的吗?还有,我如果在p型单晶硅上长本征薄膜,之后上下做电极,是否测得的电流要比在玻璃上长的硅薄膜的一面做两个电极测量的电流要大几个量级(载流子在本征薄膜中走的路程要短吧)?麻烦各位大牛知道的告诉小弟啊,感激不尽!
13楼2010-11-26 14:01:29
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