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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【请教】300nm的SiO2层经过1000度的高温处理会被破坏么？
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Atma

木虫 (小有名气)

[交流] 【请教】300nm的SiO2层经过1000度的高温处理会被破坏么？ 已有3人参与

300nm的SiO2层经过1000度的高温处理会被破坏而导致栅极漏电流很大么？
谢谢
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1楼 2010-09-17 10:28:25
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cherub382

木虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
估计是graphene的高温退火或者是在生长研究吧？1000°退火没有事，漏电流过大应该是你硅片本身的问题，比如后期超声了……
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4楼2010-10-29 08:50:12
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benxiaohaimo

金虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
LZ是做什么的？我看到过有人900度在硅片上形成SiO2的
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开心每一天
3楼2010-09-20 15:38:39
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