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vaspstudy

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[交流] 【求助】ZnO中的缺陷荷电状态怎么定已有5人参与

ZnO中的Zn空位缺陷可能呈现怎样的带电状态；Zn间隙缺陷又可能呈现怎样的带电状态？

看到回帖好像大都答非所问，将上述问题换一种问法吧：
文献中说ZnO中Zn空位相应缺陷态在中性情况下电子占据数为4， Zn间隙的中性缺陷态电子占据数为2，Zn反位的中性缺陷态电子占据数为4，而且以上数据绝对不是从第一性算出来的，而应该根据基本的化学知识得出，求这方面的高手帮忙解释，不胜感谢

[ Last edited by vaspstudy on 2010-9-11 at 08:05 ]

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1楼2010-09-09 19:12:34

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vaspstudy

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没人理我

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2楼2010-09-10 12:25:06

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引用回帖:

Originally posted by hgye at 2010-09-10 13:42:44:
你把不同电荷态的形成能算出来就知道了。

这正是我想问的呀，总得算那些可能的电荷态才好呀，总不能把中性一直到+、-7价的所有电荷态都算了啊

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4楼2010-09-10 14:08:32

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vaspstudy

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引用回帖:

Originally posted by stractor at 2010-09-10 17:06:17:
设置NELECT，参看VASP手册。
此外，你的问题以前讨论过了，搜索帖子。

NELECT等的设置问题不是我要问的可能我说的不太清楚，我是想从化学成键的角度考虑，缺陷原子可能的价态，如ZnO中的Zn反位，Zn占据了O位置，如果考虑d电子，Zn价态应该是d10s2，那可能失去1个价电子显+1价，可能失去2个价电子显+2价，等等，想从这种角度请人指点一下Zn反位所有可能的价态，以及Zn空位所有可能的价态

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8楼2010-09-10 19:51:15

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