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zxf905

木虫 (正式写手)

[交流] 【讨论】蓝宝石衬底 已有10人参与

蓝宝石衬底
蓝宝石晶体是第三代半导体材料GaN外延层生长最好的衬底材料之一,其单晶制备工艺成熟。GaN为蓝光LED制作基材。
       一、GaN外延层的衬底材料
1、SiC与GaN晶格失配度小,只有3.4%,但其热膨胀系数与GaN差别较大,易导致GaN外延层断裂,并制造成本高,为蓝宝石的10倍
2、Si成本低,与GaN晶格失配度大,达到17%,生长GaN比较难,与蓝宝石比较发光效率太低。
3、蓝宝石晶体结构相同(六方对称的纤锌矿晶体结构),与GaN晶格失配度大,达到13%,易导致GaN外延层高位错密度(108—109/cm2)。为此,在蓝宝石衬底上AlN或低温GaN外延层或SiO2层等,先进方法可使GaN外延层位错密度达到106/cm2水平。
       二、蓝宝石、GaN的品质对光致发光的影响蓝宝石单晶生长技术复杂,获得低杂质、低位错、低缺陷的单晶比较困难。蓝宝石单晶质量对GaN外延层的质量有直接的影响,其杂质和缺陷会影响GaN外延层质量,从而影响器件质量(发光效率、漏电极、寿命等)。
蓝宝石单晶的位错密度一般为104/cm2数量级,它对GaN外延层位错密度(108—109/cm2)影响不大。
       三、蓝宝石衬底制作主要包括粘片、粗磨、倒角、抛光、清洗等,将2英寸蓝宝石衬底由350—450μm(4英寸600μm左右)减到小于100μm(4英寸要厚一些    四、蓝宝石基板市场上2英寸蓝宝石基板的主要技术
高纯度  ——  99.99%以上(4—5N)
晶向 —— 主要是C面,C轴(0001)±0.3°  
翘曲度 —— 20μm
厚度 —— 330μm—430μm±25μm
表面粗糙度 ——  Ra<0.3
背面粗糙度 —— Ra<1μm(不是很严格)
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drg1984

荣誉版主 (著名写手)

奋斗

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
帝夫(金币+1): 感谢您的回帖! 2011-02-16 23:38:03
先进方法可使GaN外延层位错密度达到106/cm2水平
‘106/cm2水平可以吗???
春有百花秋有月,夏有凉风冬有雪。若无闲事挂心头,便是人间好时节。
3楼2011-01-03 14:08:12
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lin14051

至尊木虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
drg1984(金币+1): 谢谢回帖交流! 2011-06-06 14:30:13
引用回帖:
Originally posted by drg1984 at 2011-01-03 14:08:12:
先进方法可使GaN外延层位错密度达到106/cm2水平
‘106/cm2水平可以吗???

目前认为GaN中的位错对发光的影响不太大,而且位错有可能有助于GaN光电材料的发光,GaN主要用于发光器件,这种水平制作LED足够了,LD的话位错越少越好。
暂无
5楼2011-05-05 10:20:50
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drg1984

荣誉版主 (著名写手)

奋斗


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
Originally posted by lin14051 at 2011-05-05 10:20:50:
目前认为GaN中的位错对发光的影响不太大,而且位错有可能有助于GaN光电材料的发光,GaN主要用于发光器件,这种水平制作LED足够了,LD的话位错越少越好。

那衬底的方向对GaN有什么影响吗?
春有百花秋有月,夏有凉风冬有雪。若无闲事挂心头,便是人间好时节。
6楼2011-05-05 10:59:11
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lin14051

至尊木虫 (著名写手)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
drg1984(金币+1): 谢谢回帖交流! 2011-06-06 14:30:23
引用回帖:
Originally posted by drg1984 at 2011-05-05 10:59:11:
那衬底的方向对GaN有什么影响吗?

常规的c面的sapphire衬底对应的是Ga面的GaN(极性GaN),质量好但是由于器件工作过程中的斯塔克效应导致发光效率降低;r面的sapphire衬底上生长的是非极性GaN,m面sapphire衬底上生长的是半极性GaN,非极性和半极性GaN的发光效率要更高一些!
暂无
7楼2011-05-05 12:21:16
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