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水月慧心

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】DMOL 构建簇模型如何添加点电荷来消除边界效应

如题: 向大伙请教一个问题:
在dmol中如果要通过加入点电荷的方法来消除簇结构的边界效应 该如何操作呢?
我只在文献中看见过用dmol做簇模型计算时通过添加氢原子 来消除边界效应的,高斯中能实现通过点电荷的方法来消除边界效应,那在dmol中是如何操作呢?
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水月慧心

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by ym23 at 2010-08-24 08:25:56:


18电子满壳层理论的使用性还是较好的,你可以查查。
至于电荷能否均匀分配到原子周围,我想谁也控制不了的,但是电子应该会自动寻找电势低的位置占据,就好像水往低处走一样

谢谢!我想再问一下 打个比方我做了一个Ni2O2的簇 那如何才算满壳层呢?NI的原子排布是1S2 2S2 2P6 3S2 3P6 4S2 3d8
那个charge框里应该填多少合适呢?
8楼2010-08-24 09:04:06
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石油黑人

银虫 (小有名气)


gavinliu7390(金币+1):谢谢交流! 2010-08-23 16:04:34
一般都是采用“氢封闭”的方式吧。
生活在白色恐怖之下,一样搞科研
2楼2010-08-23 15:18:06
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水座

铁杆木虫 (小有名气)

请问楼主说的边界效应是什么呢?
3楼2010-08-23 18:19:57
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水月慧心

金虫 (正式写手)

★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢解释,了解了一些 2010-08-24 08:02:17
引用回帖:
Originally posted by 水座 at 2010-08-23 18:19:57:
请问楼主说的边界效应是什么呢?

固体是分子量无穷大的无限体系,
,簇模型是从固体中挖出有限大的一块来加以计算。。因为固体是无边界的,而挖出来的簇必然有边界,也就是会造成许多本来不存在的悬空键,也就是
会造成许多本来不存在的悬空键。为了补偿这种人为形成的误差,通常采用两种方法。一种是氢封闭,即每个悬空键用一个氢原子封闭,通过和氢原子成键消除悬空键;另一种是加点电荷,就是在本来应该是固体中原子或离子占据的位置放上点电荷,来模拟离子的存在以消除边界效应。
  我就想知道第二种方法在dmol中如何实现
4楼2010-08-23 20:03:55
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