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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

[交流] 【求助】本征载流子浓度-概念问题 已有3人参与

各位好
        咨询一个关于硅本征载流子的浓度问题;
        教课书上提到:当硅为本征时候,no=po=ni;
                                本征载流子的浓度就为ni;

        但,本征硅中的载流子为电子和空穴,所以本征硅中的载流子应该为电子和空穴;那么本征硅中的载流子浓度就 应该为2*ni才是?
       这时,就与教课书上矛盾,还请指点下,多谢
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good256

铜虫 (正式写手)

实验的结果和理论值会有一些不同,看一下黄昆的《半导体物理》
4楼2010-08-26 23:28:14
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夕阳西下

金虫 (著名写手)

★ ★
小强还活着(金币+5):兄台的解答,令我顿悟;多谢 2010-08-17 14:46:20
小木虫:)(金币+2):3q 2010-08-17 16:07:33
没什么矛盾的。书上说的本征载流子浓度为ni指的是电子或者空穴的浓度。你所说的载流子浓度指的是总的载流子浓度。一般情况下,两种载流子浓度不相等,所以载流子浓度都指的是单个载流子的浓度。另外,某种情况下电子和空穴会复合调,所以总的载流子浓度也不好表达。
2楼2010-08-17 12:12:42
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

引用回帖:
Originally posted by 夕阳西下 at 2010-08-17 12:12:42:
没什么矛盾的。书上说的本征载流子浓度为ni指的是电子或者空穴的浓度。你所说的载流子浓度指的是总的载流子浓度。一般情况下,两种载流子浓度不相等,所以载流子浓度都指的是单个载流子的浓度。另外,某种情况下电 ...

多谢兄台!
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3楼2010-08-17 14:38:19
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