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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 其他交流 » 【求助】本征载流子浓度-概念问题
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

[交流] 【求助】本征载流子浓度-概念问题 已有3人参与

各位好
        咨询一个关于硅本征载流子的浓度问题；
        教课书上提到：当硅为本征时候，no=po=ni;
                                本征载流子的浓度就为ni;

        但，本征硅中的载流子为电子和空穴，所以本征硅中的载流子应该为电子和空穴；那么本征硅中的载流子浓度就 应该为2*ni才是？
       这时，就与教课书上矛盾，还请指点下，多谢
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始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
1楼 2010-08-17 10:19:36
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

引用回帖:
Originally posted by 夕阳西下 at 2010-08-17 12:12:42:
没什么矛盾的。书上说的本征载流子浓度为ni指的是电子或者空穴的浓度。你所说的载流子浓度指的是总的载流子浓度。一般情况下，两种载流子浓度不相等，所以载流子浓度都指的是单个载流子的浓度。另外，某种情况下电 ...

多谢兄台！
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始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
3楼2010-08-17 14:38:19
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查看全部 4 个回答

夕阳西下

金虫 (著名写手)
★ ★
小强还活着(金币+5):兄台的解答，令我顿悟；多谢 2010-08-17 14:46:20
小木虫:)(金币+2):3q 2010-08-17 16:07:33
没什么矛盾的。书上说的本征载流子浓度为ni指的是电子或者空穴的浓度。你所说的载流子浓度指的是总的载流子浓度。一般情况下，两种载流子浓度不相等，所以载流子浓度都指的是单个载流子的浓度。另外，某种情况下电子和空穴会复合调，所以总的载流子浓度也不好表达。
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2楼2010-08-17 12:12:42
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good256

铜虫 (正式写手)
实验的结果和理论值会有一些不同，看一下黄昆的《半导体物理》
赞一下 回复此楼
4楼2010-08-26 23:28:14
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