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Toapollo

铁杆木虫 (正式写手)

西部牛仔


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
晶体结构没变,带隙的本质特性不会改变的,只是你以为变了(看到的表象)。
超胞不一样,默认的计算路径会不一样,所以绘出的二维能带图当然不一样了。但是实际的三维能带图还是一样的。
偷得一日闲便是福,枉作千年计岂非愚!
11楼2011-12-25 10:53:29
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晓阳轻轻

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
楼主,怎么用castep测4H-SiC的晶格常数啊,谢谢
你在那万人中央
12楼2012-01-04 10:42:11
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yangyangwlhx

木虫 (正式写手)

少校


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
2楼: Originally posted by gongchangjie at 2010-07-11 19:06:31
这个完全有可能,是间接或者直接帯隙半导体,并不绝对!晶体结构能对能带有影响,可以看看黄昆的固体物理,不是有很多转变,金属绝缘体转变。。。,计算出来时什么结果就是什么,只要计算设置合理。

楼主 您好 我计算时  计算出来的带隙是间接带隙 但是 实验值是用直接带隙的处理公式 处理的 所以两者矛盾啊  计算 没什么问题啊  kpoint 是系统自定的 8面体 结构  系统自定成G-F-Q-Z-G  求楼主解惑啊  谢谢
孤狼
13楼2014-03-21 09:12:01
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风雨彩虹1602

木虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
楼主有没有这个是4H-SiC的证据啊,我计算了一下电子带隙为2.216,可是4H-SiC的电子带隙文献是3.2啊
生活与生存
14楼2015-02-03 14:29:25
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匿名

用户注销 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
本帖仅楼主可见
15楼2015-04-04 16:14:32
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百战大侠

新虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
10楼: Originally posted by fanny0007 at 2011-12-21 14:27:59
我也遇到类似问题,就是对称性的问题,当做虚晶近似的时候,保证对称性,就不会变了。但如果做替位掺杂就有问题!!!!

请问替位掺杂该怎么办啊?
16楼2019-03-21 22:59:25
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yxcai

铁杆木虫 (著名写手)

17楼2019-03-22 21:32:45
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