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【求助】CASTEP计算能带和光谱不准确该如何解决
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梦幻人生梦
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虫号: 927019
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【求助】CASTEP计算能带和光谱不准确该如何解决
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我用CASTEP计算体硅的能带和吸收谱,与实际结果差距很大。用LDA算出的体硅禁带宽度是0.5eV,但实际应该是1.1eV。软件算出的体硅吸收的范围是100nm~500nm,与实际差距也非常之大。如果CASTEP计算体硅性质都不正确的话,那用CASTEP计算其他硅结构的性质还有意义吗? 有什么解决办法?
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1楼
2010-06-18 08:17:52
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xirainbow
木虫
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hedaors(金币+1):谢谢交流 2010-06-18 09:27:22
LDA和GGA计算带隙中出现的问题是DFT理论本身造成的
这个问题是众所周知的
GW可以修正它
但MS没这个功能
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2楼
2010-06-18 08:41:50
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梦幻人生梦
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虫号: 927019
我现在已经用CASTEP计算了硅量子点一系列尺寸的性质了。之前以为只要找到变化趋势就可以了,但是现在趋势是找到了,总觉得数据跟实际偏差太大,可信度不就没了吗?分析Eg的时候还可以用剪刀算符修正一下,但是光谱我觉得算出来的根本就不对。由于我们这边只有MS软件,花很长时间算了那么多数据,丢掉太可惜了啊。有没有什么挽救的方法啊?比如说怎样更好的修正。
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3楼
2010-06-18 09:12:36
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guolianshun
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梦幻人生梦
at 2010-06-18 08:17:52:
我用CASTEP计算体硅的能带和吸收谱,与实际结果差距很大。用LDA算出的体硅禁带宽度是0.5eV,但实际应该是1.1eV。软件算出的体硅吸收的范围是100nm~500nm,与实际差距也非常之大。如果CASTEP计算体硅性质都不正确的 ...
想问一下吸收谱是怎么得到的啊
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4楼
2010-10-22 11:11:19
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lxj1989
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aylayl08(金币+2):谢谢解释 2010-10-22 14:15:49
引用回帖:
Originally posted by
梦幻人生梦
at 2010-06-18 08:17:52:
我用CASTEP计算体硅的能带和吸收谱,与实际结果差距很大。用LDA算出的体硅禁带宽度是0.5eV,但实际应该是1.1eV。软件算出的体硅吸收的范围是100nm~500nm,与实际差距也非常之大。如果CASTEP计算体硅性质都不正确的 ...
用GGA函数可以对LDA的算法差距进行修正,其实LDA,GGA都是近似方法。结果与实验不会一模一样的,如果算Si 还是不正确,那下面的做法就没有意义了。
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5楼
2010-10-22 14:11:46
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