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小木虫于

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】两个要求比较的体系,一定要所有参数完全一致么?如isif或混合参数 已有2人参与

各位好,我学习vasp有两个月了,但很多基本问题还没弄懂,请问各位
1、 我要计算原子吸附到有一个空位的无穷大的单层石墨表面,isif应该设置成2还是3呢?

2、 另外2或3具体的实现过程是什么呢,她们有什么明显的差异么?

3、 还有在此计算过程中我要比较不同的系统以计算吸附能,一定要保证截断能和所用的INCAR中的参数完全一致么?比如在A体系用isif=2而在B体系用isif=3,或A体系用一种混合参数而在B体系用另一种混合参数不行么?

很苦恼,因为总要保证两个体系参数一致,一个算错了,另一个就要重新算,就被牵制住了。很烦。希望有人能帮我解决这个问题,谢谢各位了,在下不胜感激。
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
hedaors(金币+1):thanks 2010-06-18 22:18:42
引用回帖:
Originally posted by 小木虫于 at 2010-06-18 14:12:59:
对不起,我没说清,我是指电荷密度的混合方法AMIX BMIX的参数设置.

对于碳材料这样简单的体系,采用默认的AMIX, BMIX值,也是很容易收敛了的。
7楼2010-06-18 18:29:12
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+2):谢谢专家指导 2010-06-18 11:24:24
引用回帖:
Originally posted by 小木虫于 at 2010-06-18 07:59:29:
各位好,我学习vasp有两个月了,但很多基本问题还没弄懂,请问各位
1、 我要计算原子吸附到有一个空位的无穷大的单层石墨表面,isif应该设置成2还是3呢?

2、 另外2或3具体的实现过程是什么呢,她们有什么明显 ...

对第1、2问题,当然是只能采用ISIF=2来进行优化,也就是只对原子的位置进行优化。注释:ISIF=3,表示原子位置以及晶胞参数一起优化。对graphene这样低维体系,采用有真空层的超原胞,采用ISIF=3优化晶格参数(也就是graphene平面内的晶格常数)是不合适的。

对第3个问题,当然一定要保证截断能和所用的INCAR中的参数完全一致。该问题的后半截,从上面回答的也可以知道,不能混合用ISIF=2, 3。
2楼2010-06-18 10:27:26
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小木虫于

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-06-18 10:27:26:


对第1、2问题,当然是只能采用ISIF=2来进行优化,也就是只对原子的位置进行优化。注释:ISIF=3,表示原子位置以及晶胞参数一起优化。对graphene这样低维体系,采用有真空层的超原胞,采用ISIF=3优化晶格参数( ...

那混合参数呢
3楼2010-06-18 10:43:51
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+1):感谢交流 2010-06-19 08:02:36
我已经回复了,对低维的graphene体系,不能用ISIF=3。混着用也是不行的。
4楼2010-06-18 13:14:25
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