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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】两个要求比较的体系，一定要所有参数完全一致么？如isif或混合参数
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小木虫于

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】两个要求比较的体系，一定要所有参数完全一致么？如isif或混合参数 已有2人参与

各位好，我学习vasp有两个月了，但很多基本问题还没弄懂，请问各位
1、 我要计算原子吸附到有一个空位的无穷大的单层石墨表面，isif应该设置成2还是3呢？

2、 另外2或3具体的实现过程是什么呢，她们有什么明显的差异么？

3、 还有在此计算过程中我要比较不同的系统以计算吸附能，一定要保证截断能和所用的INCAR中的参数完全一致么？比如在A体系用isif=2而在B体系用isif=3，或A体系用一种混合参数而在B体系用另一种混合参数不行么？

很苦恼，因为总要保证两个体系参数一致，一个算错了，另一个就要重新算，就被牵制住了。很烦。希望有人能帮我解决这个问题，谢谢各位了，在下不胜感激。
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1楼 2010-06-18 07:59:29
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
zzy870720z(金币+2):谢谢专家指导 2010-06-18 11:24:24
引用回帖:
Originally posted by 小木虫于 at 2010-06-18 07:59:29:
各位好，我学习vasp有两个月了，但很多基本问题还没弄懂，请问各位
1、 我要计算原子吸附到有一个空位的无穷大的单层石墨表面，isif应该设置成2还是3呢？

2、 另外2或3具体的实现过程是什么呢，她们有什么明显 ...

对第1、2问题，当然是只能采用ISIF=2来进行优化，也就是只对原子的位置进行优化。注释：ISIF=3，表示原子位置以及晶胞参数一起优化。对graphene这样低维体系，采用有真空层的超原胞，采用ISIF=3优化晶格参数（也就是graphene平面内的晶格常数)是不合适的。

对第3个问题，当然一定要保证截断能和所用的INCAR中的参数完全一致。该问题的后半截，从上面回答的也可以知道，不能混合用ISIF=2, 3。
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2楼2010-06-18 10:27:26
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小木虫于

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-06-18 10:27:26:


对第1、2问题，当然是只能采用ISIF=2来进行优化，也就是只对原子的位置进行优化。注释：ISIF=3，表示原子位置以及晶胞参数一起优化。对graphene这样低维体系，采用有真空层的超原胞，采用ISIF=3优化晶格参数（ ...

那混合参数呢
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3楼2010-06-18 10:43:51
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
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zzy870720z(金币+1):感谢交流 2010-06-19 08:02:36
我已经回复了，对低维的graphene体系，不能用ISIF=3。混着用也是不行的。
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4楼2010-06-18 13:14:25
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小木虫于

金虫 (正式写手)
对不起，我没说清，我是指电荷密度的混合方法AMIX BMIX的参数设置.
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5楼2010-06-18 14:12:59
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小木虫于

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-06-18 13:14:25:
我已经回复了，对低维的graphene体系，不能用ISIF=3。混着用也是不行的。

允许我问一个基本的问题，为何象低维的石墨烯体系，不能用ISIF=3啊？希望赐教。
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6楼2010-06-18 18:02:31
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
hedaors(金币+1):thanks 2010-06-18 22:18:42
引用回帖:
Originally posted by 小木虫于 at 2010-06-18 14:12:59:
对不起，我没说清，我是指电荷密度的混合方法AMIX BMIX的参数设置.

对于碳材料这样简单的体系，采用默认的AMIX, BMIX值，也是很容易收敛了的。
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7楼2010-06-18 18:29:12
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
hedaors(金币+2):thanks 2010-06-18 22:18:55
引用回帖:
Originally posted by 小木虫于 at 2010-06-18 18:02:31:

允许我问一个基本的问题，为何象低维的石墨烯体系，不能用ISIF=3啊？希望赐教。

对于低维的体系，需要采用带有真空层的超原胞，真空层的厚度要选的足够厚，也就是说要将真空层的厚度固定在某个值。但是当采用ISIF=3时，会优化晶胞参数(包括a,b,c的值），不能保证真空层的厚度是我们所要求的值。换句话说，采用ISIF=3时，晶格参数的优化，是根据晶胞所受的应力大小来调整晶胞的，调整到晶胞所受的应力小于所设置的收敛值，对于有真空层的晶胞，某些方向上的应力并不具有物理意义(这一点就不用再详细说了吧)。
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8楼2010-06-18 18:36:40
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小木虫于

金虫 (正式写手)
太感谢了，我明白了很多，受益匪浅啊。
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9楼2010-06-18 21:55:28
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