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wchengpeng

禁言 (正式写手)

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wchengpeng

禁言 (正式写手)

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4楼2010-06-06 21:07:23
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santuo

木虫 (职业作家)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
研究位错密度高分辨电镜是必须的,其本质机理貌似未很清楚
科研,再也不见~
3楼2010-06-06 17:57:50
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mines

金虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
LZ主要研究测量位错密度?
5楼2010-06-06 23:18:00
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chyzeng

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
位错密度的测量是个难题,传统的方法是采用金相法,通过观察位错露头的个数,计算位错密度。高分辨电镜是个办法,也是很多人用的办法,但是做过相关研究的人都会知道该方法的固有缺陷。1.好的高分辨电镜晶格花样不宜获得,就算是可以获得,也通常只在一个很小的区域,因此得到的值缺乏统计性。2.获得高质量高分辨花样后,位错通常是很难辨别的,因为晶格通常不是很清楚,通常要通过傅立叶变化的方法去处理花样,但是傅立叶变换会引入很多误差,有些本来不是位错的地方看起来也像是位错,因为透射电镜晶格像的面积非常小,所以如果多出几根位错也会使结果产生数量级的误差。但是不得不说,TEM或传统金像分析法是最直接的方法。
位错密度的确定是个公认的难题,但是也并非不能解决,有一些间接的方法可以得到位错密度,众所周知,位错密度与材料的残余应变有很大的关系,因此如果残余应变能够精确的测量,再辅以相应的模型,位错密度是可以得到精确表征的。
关于残余应变,也有很多问题,传统的XRD线型分析,可以得到残余应变,但是由于材料弹性系数的各向异性,通常在不同的晶向指数上,其应变也不同,从而产生所谓的应变对比度(strain contrast),应变对比度的表征需要很强的晶体学基础。国际上有人对此项工作进行专门的研究,T. Ungar和Wilkens等做的比较好。
6楼2010-06-07 04:11:38
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