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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】VASP计算电子态密度
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

优秀版主优秀版主优秀版主优秀版主
引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-06-03 10:32:04:
一般不从态密度上看能隙值，因为展宽的原因会使得价带顶和导带底的位置变得不准了。一般从计算的能带结构图上来看。

侯老师有空指导一下怎么做gaussian展宽？还有就是怎么gaussian处理后对DOS有没有影响？
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博学、审问、慎思、明辨、笃学
11楼2010-06-03 11:10:11
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vasp001

金虫 (正式写手)
★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢指导，我试试，有问题再请教 2010-06-03 13:04:09
hometownlove(金币+2):谢谢交流 2010-06-09 13:44:20
引用回帖:
Originally posted by zzy870720z at 2010-06-03 08:26:07:


首先谢谢你的解释
能说更详细些吗？作图时有什么要注意的？
麻烦了，很急

展宽，是在你处理数据的脚本中来约定的，具体的细节你要看你的脚本，一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话，峰行不会那么尖锐，并且，态会相对弥散一些，我觉着这样才更符合实际。

另外，不要从态密度图获得带隙，应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减，就能获得相应的带隙。
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一定要精通MaterialsStudios,VASP.
12楼2010-06-03 12:50:04
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)
★ ★ ★ ★
gavinliu7390(金币+3):非常感谢详细指导！ 2010-06-03 14:57:20
zzy870720z(金币+5):谢谢侯老师指点，我先试试，有问题再请教 2010-06-03 16:44:47
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:44:57
下面的资料是从The FHIMD Toolkit User's Manual上拷贝下来的：
http://www.fhi-berlin.mpg.de/th/fhi98md/

见里面的公式3.2

1、先用vasp计算态密度，比如采用ISMEAR=-5，同时将NEDOS设置的大一些，默认值为301，将它调大，比如设置为1000左右；
2、得到了DOSCAR文件之后，取出total DOS. 可以简单的认为，在采用ISMEAR=-5时计算态密度，上面公式3.1中的F就是delta函数。
3、按上面公式3.1， 3.2，对计算出来的态密度做一个展宽，这个要自己编程：
公式3.1中的权重都为1.0了，不对k进行循环，只是对能量点的个数， 公式3.1里面|...|内含的量已经由vasp计算出来了的。

[ Last edited by valenhou001 on 2010-6-3 at 13:07 ]
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13楼2010-06-03 13:06:09
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主
★
zzy870720z(金币+2):感谢交流 2010-06-03 16:45:06
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:45:52
引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-03 12:50:04:


展宽，是在你处理数据的脚本中来约定的，具体的细节你要看你的脚本，一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话，峰行不会那么尖锐，并且，态会相对弥散一些，我觉着这样才更符 ...

展宽不就是SIGMA吗?在INCAR中不是已经给出来了?为什么会有""在处理数据的脚本中来约定"这一说呢?

搜索到下面这一段话:"当体系的电子结构在Fermi 能级附近出现多个简并能级时，体系的自洽过程会相当慢，甚至不能收敛。这是由于能级简并，或能级之间相差不大，导致电子“不知道”应该在哪里分布，从而不断地在几个能级之间“跳来跳去”，但无论电子分布在哪个前线能级上整个体系都不能自洽。
所谓拖尾，是指在前线轨道上，电子可以以分数分布，而不再要求一定要以整数分布，从而使电子可以一分为多地分布在能量相近的各个前线轨道，而不需要在各轨道之间“跳来跳去”，使体系更容易自洽。使用该办法时要对拖尾效应设定一个能量值，使电子在能量相差在该值之内的轨道进行分数分布。设定值越小，计算结果越精确，但亦更难自洽。（也叫展宽）"
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14楼2010-06-03 15:08:12
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vasp001

金虫 (正式写手)
zzy870720z(金币+1):感谢交流 2010-06-03 22:48:40
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-06-03 15:08:12:



展宽不就是SIGMA吗?在INCAR中不是已经给出来了?为什么会有""在处理数据的脚本中来约定"这一说呢?

搜索到下面这一段话:"当体系的电子结构在Fermi 能级附近出现多个简并能级时，体系的 ...

真正作图时，还有一个展宽，来限制的，我用过处理态密度的两个脚本，都是有展宽的。不信你可以看一下你处理的脚本。
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一定要精通MaterialsStudios,VASP.
15楼2010-06-03 22:15:09
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kgdu

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-03 22:15:09:

真正作图时，还有一个展宽，来限制的，我用过处理态密度的两个脚本，都是有展宽的。不信你可以看一下你处理的脚本。

请问一下，要计算单个分子的态密度（在10埃的立方盒子中），非自洽计算时K点怎么设呢，也是要设好大吗？还有就是对于Slab模型，非自洽计算Z方向是不是为1就可以呢？先谢谢了。
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16楼2010-06-04 17:38:15
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vasp001

金虫 (正式写手)
★ ★
cenwanglai(金币+1):谢谢指导 2010-06-05 12:12:28
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:46:32
K点有经验取法  number of KPOINTS =40/a or 40/b ,40/c ,
我感觉你问的是非周期方向的K 点如何设，应该设为1 ，原因见FT.
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一定要精通MaterialsStudios,VASP.
17楼2010-06-04 18:27:03
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含草

金虫 (小有名气)
你好，想请问下，关于不要从态密度图获得带隙，应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减，就能获得相应的带隙，是不是指GAMM点的LOMO和LUMO呢？谢谢
引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-03 12:50:04:


展宽，是在你处理数据的脚本中来约定的，具体的细节你要看你的脚本，一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话，峰行不会那么尖锐，并且，态会相对弥散一些，我觉着这样才更符 ...

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18楼2010-06-05 11:48:45
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vasp001

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
cenwanglai(金币+2):谢谢回复 2010-06-06 18:14:02
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:46:55
引用回帖:
Originally posted by 含草 at 2010-06-05 11:48:45:
你好，想请问下，关于不要从态密度图获得带隙，应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减，就能获得相应的带隙，是不是指GAMM点的LOMO和LUMO呢？谢谢




不一定，因为，直接带隙半导体，HOMO 和LUMO 经常在GAMMA 点，而间接带隙半导体，不是这样，一般是有一个，或者两个都不在GAMMA 点，这是由体系性质决定的。
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一定要精通MaterialsStudios,VASP.
19楼2010-06-05 12:58:33
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kgdu

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-04 18:27:03:
K点有经验取法  number of KPOINTS =40/a or 40/b ,40/c ,
我感觉你问的是非周期方向的K 点如何设，应该设为1 ，原因见FT.

谢谢你的回答！
   还请问一下，为什么计算态密度时，第二步非自洽计算K点要选得多一点呢？能不能推荐点东西给我看看。
  我对单个平面分子（10埃立方晶胞）第一我用的K点是2*2*1，计算态密度时非自洽用的K点还是2*2*1，不知道这样算出来好不好？
  先谢谢了，还请指点！！
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20楼2010-06-06 17:38:52
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