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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

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引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-06-03 10:32:04:
一般不从态密度上看能隙值,因为展宽的原因会使得价带顶和导带底的位置变得不准了。一般从计算的能带结构图上来看。

侯老师有空指导一下怎么做gaussian展宽?还有就是怎么gaussian处理后对DOS有没有影响?
博学、审问、慎思、明辨、笃学
11楼2010-06-03 11:10:11
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vasp001

金虫 (正式写手)

★ ★
zzy870720z(金币+2):谢谢指导,我试试,有问题再请教 2010-06-03 13:04:09
hometownlove(金币+2):谢谢交流 2010-06-09 13:44:20
引用回帖:
Originally posted by zzy870720z at 2010-06-03 08:26:07:


首先谢谢你的解释
能说更详细些吗?作图时有什么要注意的?
麻烦了,很急

展宽,是在你处理数据的脚本中来约定的,具体的细节你要看你的脚本,一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话,峰行不会那么尖锐,并且,态会相对弥散一些,我觉着这样才更符合实际。

另外,不要从态密度图获得带隙,应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减,就能获得相应的带隙。
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
12楼2010-06-03 12:50:04
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★ ★ ★
gavinliu7390(金币+3):非常感谢详细指导! 2010-06-03 14:57:20
zzy870720z(金币+5):谢谢侯老师指点,我先试试,有问题再请教 2010-06-03 16:44:47
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:44:57
下面的资料是从The FHIMD Toolkit User's Manual上拷贝下来的:
http://www.fhi-berlin.mpg.de/th/fhi98md/

见里面的公式3.2

1、先用vasp计算态密度,比如采用ISMEAR=-5,同时将NEDOS设置的大一些,默认值为301,将它调大,比如设置为1000左右;
2、得到了DOSCAR文件之后,取出total DOS. 可以简单的认为,在采用ISMEAR=-5时计算态密度,上面公式3.1中的F就是delta函数。
3、按上面公式3.1, 3.2,对计算出来的态密度做一个展宽,这个要自己编程:
公式3.1中的权重都为1.0了,不对k进行循环,只是对能量点的个数, 公式3.1里面|...|内含的量已经由vasp计算出来了的。

[ Last edited by valenhou001 on 2010-6-3 at 13:07 ]
13楼2010-06-03 13:06:09
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主


zzy870720z(金币+2):感谢交流 2010-06-03 16:45:06
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:45:52
引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-03 12:50:04:


展宽,是在你处理数据的脚本中来约定的,具体的细节你要看你的脚本,一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话,峰行不会那么尖锐,并且,态会相对弥散一些,我觉着这样才更符 ...

展宽不就是SIGMA吗?在INCAR中不是已经给出来了?为什么会有""在处理数据的脚本中来约定"这一说呢?

搜索到下面这一段话:"当体系的电子结构在Fermi 能级附近出现多个简并能级时,体系的自洽过程会相当慢,甚至不能收敛。这是由于能级简并,或能级之间相差不大,导致电子“不知道”应该在哪里分布,从而不断地在几个能级之间“跳来跳去”,但无论电子分布在哪个前线能级上整个体系都不能自洽。
所谓拖尾,是指在前线轨道上,电子可以以分数分布,而不再要求一定要以整数分布,从而使电子可以一分为多地分布在能量相近的各个前线轨道,而不需要在各轨道之间“跳来跳去”,使体系更容易自洽。使用该办法时要对拖尾效应设定一个能量值,使电子在能量相差在该值之内的轨道进行分数分布。设定值越小,计算结果越精确,但亦更难自洽。(也叫展宽)"
14楼2010-06-03 15:08:12
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vasp001

金虫 (正式写手)

zzy870720z(金币+1):感谢交流 2010-06-03 22:48:40
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-06-03 15:08:12:



展宽不就是SIGMA吗?在INCAR中不是已经给出来了?为什么会有""在处理数据的脚本中来约定"这一说呢?

搜索到下面这一段话:"当体系的电子结构在Fermi 能级附近出现多个简并能级时,体系的 ...

真正作图时,还有一个展宽,来限制的,我用过处理态密度的两个脚本,都是有展宽的。不信你可以看一下你处理的脚本。
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
15楼2010-06-03 22:15:09
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kgdu

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-03 22:15:09:

真正作图时,还有一个展宽,来限制的,我用过处理态密度的两个脚本,都是有展宽的。不信你可以看一下你处理的脚本。

请问一下,要计算单个分子的态密度(在10埃的立方盒子中),非自洽计算时K点怎么设呢,也是要设好大吗?还有就是对于Slab模型,非自洽计算Z方向是不是为1就可以呢?先谢谢了。
16楼2010-06-04 17:38:15
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vasp001

金虫 (正式写手)

★ ★
cenwanglai(金币+1):谢谢指导 2010-06-05 12:12:28
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:46:32
K点有经验取法  number of KPOINTS =40/a or 40/b ,40/c ,
我感觉你问的是非周期方向的K 点如何设,应该设为1 ,原因见FT.
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
17楼2010-06-04 18:27:03
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含草

金虫 (小有名气)

你好,想请问下,关于不要从态密度图获得带隙,应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减,就能获得相应的带隙,是不是指GAMM点的LOMO和LUMO呢?谢谢
引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-03 12:50:04:


展宽,是在你处理数据的脚本中来约定的,具体的细节你要看你的脚本,一般来说这个参数比约定SIGMA 对态密度的影响更大。如果展宽取得大一些的话,峰行不会那么尖锐,并且,态会相对弥散一些,我觉着这样才更符 ...

18楼2010-06-05 11:48:45
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vasp001

金虫 (正式写手)

★ ★ ★
cenwanglai(金币+2):谢谢回复 2010-06-06 18:14:02
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-09 13:46:55
引用回帖:
Originally posted by 含草 at 2010-06-05 11:48:45:
你好,想请问下,关于不要从态密度图获得带隙,应该从原始数据里找HOMO 和LUMO ,直接相减,就能获得相应的带隙,是不是指GAMM点的LOMO和LUMO呢?谢谢




不一定,因为,直接带隙半导体,HOMO 和LUMO 经常在GAMMA 点,而间接带隙半导体,不是这样,一般是有一个,或者两个都不在GAMMA 点,这是由体系性质决定的。
一定要精通MaterialsStudios,VASP.
19楼2010-06-05 12:58:33
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kgdu

金虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-06-04 18:27:03:
K点有经验取法  number of KPOINTS =40/a or 40/b ,40/c ,
我感觉你问的是非周期方向的K 点如何设,应该设为1 ,原因见FT.

谢谢你的回答!
   还请问一下,为什么计算态密度时,第二步非自洽计算K点要选得多一点呢?能不能推荐点东西给我看看。
  我对单个平面分子(10埃立方晶胞)第一我用的K点是2*2*1,计算态密度时非自洽用的K点还是2*2*1,不知道这样算出来好不好?
  先谢谢了,还请指点!!
20楼2010-06-06 17:38:52
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