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【求助】请教直接带隙材料和间接带隙材料的区别?
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worry
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【求助】请教直接带隙材料和间接带隙材料的区别?
已有4人参与
我看到有些说非晶硅薄膜是直接带隙材料
而多晶硅是间接带隙材料
想问问直接带隙和间接带隙之间的区别?
还有一个问题:计算非晶硅和多晶硅薄膜的光学能隙所用的tauc公式
(hav)1/2=k(hv-Eg)是一样的么
即(hav)是用1/2还是用2次方?
谢谢啊
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1楼
2010-05-29 11:36:39
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M.K
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小木虫:)(金币+3):3q 2010-05-30 00:08:02
非晶硅因为晶格长程无序所以不受准动量守恒限制变为直接带隙,多晶硅/微晶硅/单晶硅是间接带隙
非晶硅tauc公式(hav)1/2=k(hv-Eg)
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魔鬼的孩子自有魔鬼的好运
4楼
2010-05-29 22:13:49
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元小雪
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小木虫:)(金币+2):3q 2010-05-30 00:07:48
一个是直接,一个是间接啊,区别就在这里
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无聊的博士
2楼
2010-05-29 12:27:02
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zhongaihua
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小木虫:)(金币+2):3q 2010-05-30 00:07:57
直接带系是导带底最低处与价带顶最高处位于同一k矢量,间接就是不在同一处了。直接带隙的半导体材料发光效率比较高
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3楼
2010-05-29 21:03:14
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xinderella
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小木虫:)(金币+2):3q 2010-06-07 23:37:57
直接带隙半导体常见的有GaAs等,常用来做发光材料。间接带隙半导体有Ga和Si,虽不能制造发光器件,但可用来制作光电二极管类的光检测器件、太阳能电池类的光伏器件
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我在自己选择的道路上前行
5楼
2010-06-07 23:21:18
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