| 查看: 1152 | 回复: 4 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】关于碳管的可控制备 已有4人参与
|
|||
|
小弟今后可能要做关于碳纳米管的可控制备方面的研究了，但是现在还是新手对于这方面还很不了解，希望各位xdjm给小弟介绍一下关于这方面的研究目前已到达什么样的程度了，目前大家的研究重点在什么方面？希望大家不吝赐教。多谢！ [ Last edited by wdwsnnu on 2010-5-2 at 23:26 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
求助一篇MEMS散热器件文献
已经有0人回复
-
材化专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有181人回复
-
材料化学专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 碳纳米管中的金属性和半导体性如何分离？
已经有4人回复
- 新鲜出炉-2014年国家自然基金（面上、青年、重点）关于石墨烯和碳纳米管的基金项目
已经有384人回复
- 2014年8月7日Nature：(6,6)碳纳米管100%手性控制生长
已经有101人回复
- 碳纳米管阵列生长的基底材料
已经有22人回复
- 石墨烯材料的宏量可控制备及其应用基础研究（2012CB933400-G）
已经有145人回复
- 使用透射电镜观察碳纳米管，样品应如何制备？谢谢！
已经有21人回复
- 制备碳纳米管的催化剂选择
已经有18人回复
- 化学所在石墨烯可控制备和性能研究方面取得系列进展
已经有17人回复
- Nature Materials 全文在碳纳米管内组装石墨烯纳米片
已经有97人回复
- ===求助 关于如何用金属修饰（掺杂）石墨烯实验方面的文章===
已经有3人回复
- CVD生长碳纳米管
已经有17人回复
- 碳热还原法制备荧光粉出现的问题
已经有18人回复
- 成都有机所羟基碳纳米管是用什么方法制备的？（200金币悬赏）
已经有12人回复
- 碳纳米管轴向切割制备石墨烯疑问？
已经有11人回复
- 【求助】碳纤维和碳纳米管
已经有10人回复
- 【讨论】石墨烯与碳纳米管：一样的前生，不一样的今世
已经有25人回复
- 合作课题组招聘和招生链接汇总（2010年8月20日更新）
已经有37人回复
- 【求助】有序介空碳制备求助
已经有8人回复
- 【其他】石墨烯可控制备和性能研究获进展
已经有10人回复
- 【资源】《纳米碳管:制备、结构、物性及应用》纳米盘下载
已经有14人回复
nanopowder
至尊木虫 (著名写手)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 13068.7
- 散金: 1478
- 红花: 5
- 帖子: 2007
- 在线: 689.1小时
- 虫号: 783478
- 注册: 2009-05-31
- 专业: 材料物理化学
4楼2010-05-02 23:07:18
yinqiang
木虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 3383.8
- 散金: 369
- 帖子: 84
- 在线: 171.1小时
- 虫号: 444513
- 注册: 2007-10-27
- 性别: GG
- 专业: 半导体材料
2楼2010-05-02 07:42:01
3楼2010-05-02 13:52:46
mudannanzi
木虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1959.1
- 帖子: 883
- 在线: 71.5小时
- 虫号: 976416
- 注册: 2010-03-20
- 性别: GG
- 专业: 金属材料的制备科学与跨学
ltyconan(金币+1): 2010-05-03 23:00
|
部分包覆绝缘层的碳纳米管 利用部分包覆绝缘层的碳纳米管制作的场效应晶体管示意图 各部分组成不同的分支碳纳米管的透射电子显微镜照片。a：主干：未掺杂；分支：未掺杂。b：主干：氮掺杂；分支：氮掺杂。c： 主干：氮掺杂；分支：未掺杂。d：主干：未掺杂；分支：氮掺杂。 分支碳纳米管形成机制示意图 在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，中科院化学所有机固体院重点实验室刘云圻研究员、朱道本院士和他们的研究生，与胶体、界面与化学热力学院重点实验室韩布兴研究员、刘志敏副研究员合作，在碳纳米管场效应晶体管的研究方面取得新进展，有关研究成果申请了中国发明专利并发表在国际材料学术期刊《先进材料》(Advanced Materials (2006, Vol.18, No.2, p181-185)上。 场效应晶体管是薄膜型结构，其中绝缘层的介电常数、致密性和厚度对晶体管的性能影响较大。通常使用的二氧化硅绝缘层的介电常数较低(3.9)，而氧化铝不但介电常数高(8.6 10)，还具有低渗透性、高热稳定性等优点。但至今还没有氧化铝作为栅极绝缘层包覆一维纳米材料的实验报道，主要是因为氧化铝熔点非常高，无法采用常规技术制作氧化铝绝缘层。为此，他们利用超临界流体技术(Adv. Mater.,2004,16,350；2005, 17,217)简单、高效地将氧化铝不连续地包覆在碳纳米管表面(图1)，并利用聚焦离子束 (FIB) 直接观察选择合适的带绝缘层的碳纳米管，并在裸露的碳纳米管两端原位沉积Pt电极作为源、漏电极，在包覆有氧化铝绝缘层的区域沉积Pt电极作为栅电极，制备了场效应晶体管(图2)。由该技术制备的氧化铝绝缘层的漏电流很小，在室温下碳纳米管具有明显的场效应现象，调控器件所需的栅极电压较通常结构的场效应晶体管低，且在一块电路版上的每个器件能分别通过专有的栅电极操控。 另外，他们提出了一种制备结构和组成可控的分支碳纳米管的新方法――气流波动法。有关研究成果已申请了中国发明专利，并发表在近期的国际纳米期刊Nano Letters(2006, Vol. 6, No. 2, p.186-192)上。 碳纳米管因其优良的电学和机械性能目前已经广泛地被用来制作多种纳米电子器件，但是如何将这些独立的电子器件连接成一个功能系统，如纳米电路等，仍是纳米电子学领域的一大挑战。该课题组提出了一种新的制备方法来解决这一难题。他们发现气流波动能可控地制备分支碳纳米管阵列。同时通过改变气流的成分就可以控制分支碳纳米管中各部分的化学组成(图3)。据此，他们提出了分支碳纳米管形成的一种新机制(图4)。这种方法简单可控，为分支碳纳米管用于制备未来的纳米集成电路提供了可能，并可能用于制备其它材料的分支纳米结构，对分支纳米结构的制备和纳米器件的集成具有重要意义。 近日，在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，中科院化学所有机固体院重点实验室与胶体、界面与化学热力学院重点实验室研究人员合作在碳纳米管场效应晶体管的研究方面取得新进展，有关研究成果申请了中国发明专利并发表在国际材料学术期刊《先进材料》(Advanced Materials (2006, Vol.18, No.2, p181-185)上。场效应晶体管是薄膜型结构，其中绝缘层的介电常数、致密性和厚度对晶体管的性能影响较大。通常使用的二氧化硅绝缘层的介电常数较低(3.9)，而氧化铝不但介电常数高(8.6 10)，还具有低渗透性、高热稳定性等优点。但至今还没有氧化铝作为栅极绝缘层包覆一维纳米材料的实验报道，主要是因为氧化铝熔点非常高，无法采用常规技术制作氧化铝绝缘层。为此，他们利用超临界流体技术(Adv. Mater.,2004,16,350；2005, 17,217)简单、高效地将氧化铝不连续地包覆在碳纳米管表面，并利用聚焦离子束 (FIB) 直接观察选择合适的带绝缘层的碳纳米管，并在裸露的碳纳米管两端原位沉积Pt电极作为源、漏电极，在包覆有氧化铝绝缘层的区域沉积Pt电极作为栅电极，制备了场效应晶体管。由该技术制备的氧化铝绝缘层的漏电流很小，在室温下碳纳米管具有明显的场效应现象，调控器件所需的栅极电压较通常结构的场效应晶体管低，且在一块电路版上的每个器件能分别通过专有的栅电极操控。另外，他们提出了一种制备结构和组成可控的分支碳纳米管的新方法――气流波动法。有关研究成果已申请了中国发明专利，并发表在近期的国际纳米期刊Nano Letters(2006, Vol. 6, No. 2, p.186-192)上。碳纳米管因其优良的电学和机械性能目前已经广泛地被用来制作多种纳米电子器件，但是如何将这些独立的电子器件连接成一个功能系统，如纳米电路等，仍是纳米电子学领域的一大挑战。该课题组提出了一种新的制备方法来解决这一难题。他们发现气流波动能可控地制备分支碳纳米管阵列。同时通过改变气流的成分就可以控制分支碳纳米管中各部分的化学组成。据此，他们提出了分支碳纳米管形成的一种新机制。这种方法简单可控，为分支碳纳米管用于制备未来的纳米集成电路提供了可能，并可能用于制备其它材料的分支纳米结构，对分支纳米结构的制备和纳米器件的集成具有重要意义。 （2006/04/04 “中科院网站”） |
5楼2010-05-03 09:37:07
