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acridine

木虫 (正式写手)

★ ★
宏hong(金币+10):十分感谢 2010-04-15 18:32
gavinliu7390(金币+2):谢谢解答! 2010-04-15 21:50
楼主有点懒惰了啊,刚刚随意在google搜了一下NiO和LDA+U就找到了问题的答案:一篇关于NiO gap的PRB(Phys. Rev. B 60, 10763)上列出了FLAPW方法使用LDA和LDA+U得到的gap分别是0.4和3.4 eV,所以你这个问题毫无疑问就是U的问题,而非其它参数设置的原因。楼主是做这个材料的,这些基本的东西最好还是确定下来
另外还看到很多文章标题,应该就是用+U做NiO表面吸附的,楼主还是多看看文献吧,看看别人使用的是什么方法,对结果有什么影响,之后再决定自己使用什么参数。千万不要仅凭软件功能优劣来选择方法和参数,那样太不严谨了
11楼2010-04-15 17:38:10
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宏hong

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by acridine at 2010-04-15 17:38:10:
楼主有点懒惰了啊,刚刚随意在google搜了一下NiO和LDA+U就找到了问题的答案:一篇关于NiO gap的PRB(Phys. Rev. B 60, 10763)上列出了FLAPW方法使用LDA和LDA+U得到的gap分别是0.4和3.4 eV,所以你这个问题毫无疑 ...

首先,十分感谢你的回复,并且还用google帮我搜索了一下。
其实,我已看过了相关的文献,对于过渡金属确实得考虑+U(外文中有用VASP算的),而我现在的问题是利用MS中的Dmol能否正确的模拟这个材料,我计算了其他的一些指标,比如磁矩,键能,晶格参数等,这些都还符合,但惟独带隙差别很大。因此,我就考虑+U的情况,既用MS中的CASTEP来计算,但好像结果中不能分析带隙(既LDA+U有个问题,它只能计算Setup下的Energy项,并且我在Properties里勾选了计算带隙的density of state,结果输出文件中根本没有带隙值,为了防止是带隙为0这种情况,我利用Analysis绘制带隙,发现View按钮为灰色,意味着根本不能绘制带隙图),所以比较矛盾了。我们课题组只能用MS,其它的软件没有。
再次感谢你了
12楼2010-04-15 18:43:07
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acridine

木虫 (正式写手)


宏hong(金币+5):谢谢 2010-04-15 19:15
gavinliu7390(金币+1):谢谢解答! 2010-04-15 21:50
说法上有些不准确,绘制带隙图,楼主是说绘制能带图吧,如果在计算的时候Properties中选择了计算能带结构,而结果不能view,那估计是计算出错或者软件自身出错了,这个应该想办法解决。
而你计算了DOS,应该也能从中看出能隙大小吧,至少应该能对比出与不加U的差别。
最后,不要过于依赖软件中直接得到gap啊。好久没用castep了,忘记结果文件的格式了,结果中应该有每个k点的各个电子态能量以及占据情况吧,选择最高占据和最低非占据的能量值求个差就是gap了呗。如果两个能量值出现在同一个k点,那么就是直接带隙。其实软件给出的gap也不过这么做的而已。
13楼2010-04-15 19:08:37
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宏hong

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by acridine at 2010-04-15 19:08:37:
说法上有些不准确,绘制带隙图,楼主是说绘制能带图吧,如果在计算的时候Properties中选择了计算能带结构,而结果不能view,那估计是计算出错或者软件自身出错了,这个应该想办法解决。
而你计算了DOS,应该也能 ...

呵呵,表达是有错误,应该是能带图。
我再重新装一下软件,再算一下。
对于你最后说的,学习了。我不是学量子化学出身的,很多理论知识都是现学,呵呵,十分感谢。
14楼2010-04-15 19:22:01
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