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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【求助】I-V曲线不正常，想找原因
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gestapo911

银虫 (小有名气)
横轴 5V/dis

纵轴20uA/dis
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11楼2010-04-08 20:20:26
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

★ ★
yzcluster(金币+2): 2010-04-09 10:06
gestapo911(金币+20):谢谢，辛苦了。想找个时间和您单独讨论一下。方便么？ 2010-04-12 08:48
该结构有问题吧
Vce一加电压，Ic就开始产生电流；
理论上，在NPN没有击穿前，不会产生电流，漏电应该是nA级

Vce<5V,Ic线性增大
Vce=5V左右，就发生转折

所以，该器件是在低电压时漏电？
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始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
12楼2010-04-08 20:28:01
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gestapo911

银虫 (小有名气)
我可不可以这样认为，该器件的导通电压比较高？后面的转折部分视为放大区？

这里加了一个该器件BE结的I-V曲线，绿色的为BE结：
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13楼2010-04-08 20:38:52
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gestapo911

银虫 (小有名气)
不好意思，横轴是2V/dis

我认为从12V左右开始，该器件才开始被击穿
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14楼2010-04-08 20:41:14
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bomber

金虫 (小有名气)
需要多交流，我也做电池的
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有梦想就有希望
15楼2010-04-08 20:54:35
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400
n type and
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16楼2010-04-08 21:36:07
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)
个人觉的11楼说得有道理，从图上看，发射效率很低，Iceo 过大，漏电电流大不稳定。
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17楼2010-04-09 13:18:22
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gestapo911

银虫 (小有名气)
的确，在Ib=0时随Vce的增加Ic增加很快，即大家说的漏电流很大，截止区很高。后面想了一下可能是因为发射极的掺杂与集电极的掺杂相当造成的。

请教曲线分叉的原因是什么呢？
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18楼2010-04-09 14:00:55
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xia_chong

金虫 (文坛精英)

优秀版主
gestapo911(金币+2):谢谢交流 2010-04-12 08:49
我也觉得也是仪器没有调节稳定造成的。LZ拍的照片是不是某一时刻的，还是说图象是稳定的？
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Godhelpsthosewhohelpthemselves!
19楼2010-04-09 18:07:34
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gestapo911

银虫 (小有名气)
图像是稳定的，半个小时后还是这个样子。重复做了器件，每次都是得到这个结果。

[ Last edited by gestapo911 on 2010-4-9 at 18:21 ]
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20楼2010-04-09 18:16:11
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