| 查看: 12802 | 回复: 59 | ||||||||||||||||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||||||||||||||||||
jiangweijw铜虫 (小有名气)
|
[交流]
【请教】硅片的清洗 已有49人参与
|
|||||||||||||||||||
| 我用丙酮，酒精，去离子水依次超声清洗，可硅片吹干后清洗的不干净。请教：带二氧化硅层的硅片应如何清洗才能干净？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 优秀资源 | 一品堂 - 静电纺丝 | 资源 | 聚合物分子刷 |
| 涂膜 | ITO基底的清洗 | 光学材料微纳加工 | 学习资料 |
| Switch的集成电路 | Modification of Surface | 硅片、玻璃片清洗，加工 | 基片处理 |
| grassman‘s study | 小小 | 实验们 | 实验问题收集 |
| 纳米器件工艺 |
» 猜你喜欢
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有161人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 重金悬赏！怎样在硅片或载玻片表面进行羟基化处理~
已经有11人回复
- 水溶液中纳米颗粒SEM电镜样品的制备
已经有19人回复
- 【请教】棉花纤维如何去除
已经有8人回复
- 【求助】用20%NaOH腐蚀硅片怎么这样（有图）
已经有16人回复
- 【求助】SEM ITO or 硅片？
已经有16人回复
- 【请教】硅片清洗后如何保存
已经有17人回复
- 【求助】求助：要做AFM前硅片怎么处理和旋涂？
已经有21人回复
zhenghj2012
银虫 (小有名气)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 1168.3
- 帖子: 88
- 在线: 44.3小时
- 虫号: 964493
- 注册: 2010-03-08
- 性别: MM
- 专业: 无机材料化学
8楼2010-08-12 19:09:09
plum8736
铁杆木虫 (职业作家)
快乐家族--科比的偶像
- 应助: 1 (幼儿园)
- 贵宾: 0.009
- 金币: 6122.4
- 散金: 105
- 红花: 2
- 沙发: 15
- 帖子: 4025
- 在线: 297.9小时
- 虫号: 576849
- 注册: 2008-06-21
- 专业: 高分子合成化学
jiangweijw(金币+2):感谢 2010-03-26 08:35
|
RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化 |
2楼2010-03-24 15:50:01
3楼2010-03-24 21:06:13
4楼2010-03-25 08:26:03
30