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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 【求助】FET测试 氧化硅绝缘层漏电
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yipinchun

金虫 (著名写手)

[交流] 【求助】FET测试 氧化硅绝缘层漏电 已有7人参与

这段时间做FET device，要做低温。但是发现氧化硅绝缘层居然漏电。不知道是怎么回事。不知道有经验的兄弟能否给指点下。

我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt电极。标准的电子束曝光过程。

PMMA－曝光－显影－镀电极

多谢各位了。
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信春哥，得永生
1楼 2010-03-15 15:41:25
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zlj4165

银虫 (著名写手)
会不会是银胶把侧面的si连接上了。银胶不会腐蚀二氧化硅的。
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6楼2010-03-15 22:49:34
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zeusshang

金虫 (小有名气)
yipinchun(金币+5): 2010-03-15 16:58
yipinchun(金币+5):多谢兄弟，可否进一步指点下 2010-03-15 17:03
你从什么地方买的氧化硅片子，正常情况下是不应该出现这样的问题的，通常热氧化过程是比较简单可靠的，要不然IC也不会得到这么大范围的应用。
看一下氧化硅片子的颜色，如果是深蓝色，比较均匀的话，基本上可以排除是氧化硅的问题。
有多个器件的话，换个器件试试。
不过个人觉得最好考察一下测量过程和仪器搭接方式，热氧化的氧化硅不会这么容易出问题的，特别是这种标准厚度。
低温探针台里面探针连接要特别小心。
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微纳加工
2楼2010-03-15 16:47:46
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yipinchun

金虫 (著名写手)
在美国公司直接买的，因为是300nm所以是均匀的紫色。

测低温要进到ppma里面，所以无法用探针，必须得用银胶点了大电极（100um×100um）之后用金线连出来的（这一步，不知道楼上的兄弟如何做的）。

我们有些担心是否银胶或者里面有什么东西会和SiO2反应，导致漏电。后来用Al线bonding发现还是有漏电。所以就有些lose掉了。。。。
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信春哥，得永生
3楼2010-03-15 17:03:07
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)
还不是很明白，最好有个说明图FET的
先用探针台测测看呢
应该出可以排查出问题所在

另Pt是自己镀的吗？

[ Last edited by maccaboy on 2010-3-15 at 19:44 ]
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4楼2010-03-15 19:42:46
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