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yipinchun

金虫 (著名写手)

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[交流] 【求助】FET测试氧化硅绝缘层漏电已有7人参与

这段时间做FET device，要做低温。但是发现氧化硅绝缘层居然漏电。不知道是怎么回事。不知道有经验的兄弟能否给指点下。

我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt电极。标准的电子束曝光过程。

PMMA－曝光－显影－镀电极

多谢各位了。

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金属材料论文润色/翻译怎么收费? 已经有75人回复

信春哥，得永生

1楼 2010-03-15 15:41:25

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duanhengli

铜虫 (初入文坛)

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引用回帖:

17楼: Originally posted by yinxiaomu at 2013-03-23 21:16:07
我也遇到类似的问题只要点了银胶基本上都会出现露电的现象不知道LZ怎么解决的求分享

求问怎么解决的我也出现这个问题一点银胶金跟银胶就通了。。。。。。。。。

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19楼2017-12-01 11:43:38

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zeusshang

金虫 (小有名气)

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yipinchun(金币+5): 2010-03-15 16:58
yipinchun(金币+5):多谢兄弟，可否进一步指点下 2010-03-15 17:03

你从什么地方买的氧化硅片子，正常情况下是不应该出现这样的问题的，通常热氧化过程是比较简单可靠的，要不然IC也不会得到这么大范围的应用。
看一下氧化硅片子的颜色，如果是深蓝色，比较均匀的话，基本上可以排除是氧化硅的问题。
有多个器件的话，换个器件试试。
不过个人觉得最好考察一下测量过程和仪器搭接方式，热氧化的氧化硅不会这么容易出问题的，特别是这种标准厚度。
低温探针台里面探针连接要特别小心。

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微纳加工

2楼2010-03-15 16:47:46

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yipinchun

金虫 (著名写手)

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在美国公司直接买的，因为是300nm所以是均匀的紫色。

测低温要进到ppma里面，所以无法用探针，必须得用银胶点了大电极（100um×100um）之后用金线连出来的（这一步，不知道楼上的兄弟如何做的）。

我们有些担心是否银胶或者里面有什么东西会和SiO2反应，导致漏电。后来用Al线bonding发现还是有漏电。所以就有些lose掉了。。。。

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信春哥，得永生

3楼2010-03-15 17:03:07

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maccaboy

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还不是很明白，最好有个说明图FET的
先用探针台测测看呢
应该出可以排查出问题所在

另Pt是自己镀的吗？

[ Last edited by maccaboy on 2010-3-15 at 19:44 ]

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4楼2010-03-15 19:42:46

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