| 查看: 3611 | 回复: 20 | ||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||
[交流]
【求助】FET测试 氧化硅绝缘层漏电 已有7人参与
|
||
|
这段时间做FET device，要做低温。但是发现氧化硅绝缘层居然漏电。不知道是怎么回事。不知道有经验的兄弟能否给指点下。 我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt电极。标准的电子束曝光过程。 PMMA－曝光－显影－镀电极 多谢各位了。 |
回复此楼
yinxiaomu
银虫 (正式写手)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 3186.4
- 散金: 550
- 红花: 3
- 帖子: 325
- 在线: 360.5小时
- 虫号: 1169239
- 注册: 2010-12-13
- 专业: 马克思主义思想史
duanhengli17楼2013-03-23 21:16:07
2楼2010-03-15 16:47:46
3楼2010-03-15 17:03:07
maccaboy
至尊木虫 (著名写手)
- 应助: 5 (幼儿园)
- 金币: 11457.8
- 散金: 15
- 红花: 1
- 帖子: 2215
- 在线: 1433.4小时
- 虫号: 266468
- 注册: 2006-07-16
- 性别: GG
- 专业: 敏感电子学与传感器
4楼2010-03-15 19:42:46
5
投票: