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【求助】FET测试 氧化硅绝缘层漏电 已有7人参与
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这段时间做FET device，要做低温。但是发现氧化硅绝缘层居然漏电。不知道是怎么回事。不知道有经验的兄弟能否给指点下。 我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt电极。标准的电子束曝光过程。 PMMA－曝光－显影－镀电极 多谢各位了。 |
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2楼2010-03-15 16:47:46
3楼2010-03-15 17:03:07
maccaboy
至尊木虫 (著名写手)
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4楼2010-03-15 19:42:46
