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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 催化反应 » 【求助】求教专业高人：关于光催化的基础知识
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bhcsmay

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】求教专业高人：关于光催化的基础知识已有1人参与

材料专业的刚刚入门光催化，基础知识浅薄，特来此求教各位高人

1.下图中半导体的能带宽度和能带边缘电位示意图中能带边缘的确定方法，也就是说，图中第一条虚线既零点应该是H的电极电位0，另一条虚线应该是O的电极电位1.229 eV，那么VBM和CBM的位置是以什么为标准画出来的呢？请以ZnO为例予以说明，不胜感激！

2.另外半导体中掺杂的时候，如何确定掺杂离子对光催化活性是有利的还是有害的呢？也就是说怎样判断掺杂离子是抑制还是增强了简单复合呢？如果采用的是计算机模拟的方法，怎样才能说明这一点呢，谢谢！

[ Last edited by bhcsmay on 2010-3-10 at 09:36 ]
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1楼2010-03-10 09:34:29
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bhcsmay

金虫 (正式写手)
再顶一下，继续求助，请大家不吝赐教！谢谢！
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6楼2010-03-10 17:46:58
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bhcsmay

金虫 (正式写手)
自己顶一下，强烈呼唤高人的帮助啊！！！
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2楼2010-03-10 10:23:44
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werwr

铜虫 (正式写手)
bhcsmay(金币+2):谢谢，期待详细的解答！ 2010-03-10 15:30
doping can ehance the catalytic performance of ZnO, but it depends on the dopant amount.  I tried ZnO using Nitrogen doping, it works; and for TiO2, no enhancement observed.
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新的开始，好好努力
3楼2010-03-10 14:48:46
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werwr

铜虫 (正式写手)
bhcsmay(金币+3):谢谢，期待更详细的解答！ 2010-03-10 15:30
VB and CB, should be versus NHE (normal hydrogen electrode), and at some PH。
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新的开始，好好努力
4楼2010-03-10 14:56:49
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