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fuelcell.xjtu

木虫 (正式写手)

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[交流] 【交流】半导体薄膜内的能带弯曲

我是从事金属腐蚀研究的。在一项工作中用电化学钝化方法在不锈钢电极上制备了一层半导体钝化膜（厚度在4-15 nm），在研究中通过外加电势来调控半导体钝化膜内的费米能级。我主要想讨论在钝化膜-溶液界面处的半导体行为。

但是我的一位朋友认为在如此薄的半导体内是不能发生能带弯曲的（由于纳米尺度的关系）。而我认为在钝化膜-溶液界面处的半导体内发生了能带弯曲，最起码肖特基曲线的测量证明了半导体内的确发生了能带弯曲。

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感谢所有的讨论！

[ Last edited by fuelcell.xjtu on 2010-3-7 at 13:21 ]

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1楼2010-03-07 11:09:24

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引用回帖:

Originally posted by muchongzq at 2010-03-07 19:22:14:
4-15nm的确非常小，特别是在10nm以下，能级分立已经不能认为是准连续的了，因此也就没有能带的概念。lz说的肖特基曲线是否可以这样考虑：半导体的为电子占据的最高能级和未被占据的最低能级，这样分立的能级与溶液 ...

老兄说的很有意义，只是俺的固体物理学的很差，还得好好揣摩揣摩。

另外我所说的肖特基曲线指的是电化学方法测出的Mott-Schottky曲线（即电容与施加电势的关系曲线）。