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fuelcell.xjtu

木虫 (正式写手)

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[交流] 【交流】半导体薄膜内的能带弯曲

我是从事金属腐蚀研究的。在一项工作中用电化学钝化方法在不锈钢电极上制备了一层半导体钝化膜（厚度在4-15 nm），在研究中通过外加电势来调控半导体钝化膜内的费米能级。我主要想讨论在钝化膜-溶液界面处的半导体行为。

但是我的一位朋友认为在如此薄的半导体内是不能发生能带弯曲的（由于纳米尺度的关系）。而我认为在钝化膜-溶液界面处的半导体内发生了能带弯曲，最起码肖特基曲线的测量证明了半导体内的确发生了能带弯曲。

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感谢所有的讨论！

[ Last edited by fuelcell.xjtu on 2010-3-7 at 13:21 ]

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1楼2010-03-07 11:09:24

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muchongzq

木虫 (正式写手)

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★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小木虫:)(金币+1):3q 2010-03-07 21:38

4-15nm的确非常小，特别是在10nm以下，能级分立已经不能认为是准连续的了，因此也就没有能带的概念。lz说的肖特基曲线是否可以这样考虑：半导体的为电子占据的最高能级和未被占据的最低能级，这样分立的能级与溶液的作用关系。
此外，费米能级本身就是统计的概念，如果粒子数目过少，恐怕就不能考虑费米能级了。
自己的一点想法，仅供参考！