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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 性能应用 » 【求助】p型半导体与n型半导体的区别
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hqzhou0817

金虫 (著名写手)
★
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wdwsnnu(金币+0,VIP+0):？仔细些 1-20 14:23
gate门电压对两者的载流子浓度调制情况不同
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海纳百川，有容乃大。壁立千仞，无欲则刚！
11楼2010-01-20 13:53:47
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lucifer41f

银虫 (小有名气)
★ ★ ★
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薰衣草儿(金币+2,VIP+0):欢迎讨论· 1-20 18:05
在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
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黎明将是破晓的奖赏
12楼2010-01-20 15:07:44
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xiansheng7069

铁杆木虫 (正式写手)
★
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"有四种情形的N型半导体，其中正离子过量为N型半导体：含有过量Zn的ZnO 属于N型半导体，Zn要维持2+，必须给出两个电子，所以是N型半导体" --- Zn过量那不就是氧缺少了，氧空位出现吗？ZnO在形成过程中因氧提供的不足而产生氧空位，Zn贡献的两个电子本来是给氧的但氧缺席了，氧空位带正电，但是为了保持电中性，在氧空位周围出现两个电子（Zn提供的），它们很容易被激发参与导电，这样电子多于空穴，所以ZnO表现N型。
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13楼2010-02-28 10:42:57
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北交宁宁

银虫 (正式写手)
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引用回帖:
Originally posted by lucifer41f at 2010-01-20 15:07:44:
在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体即空穴浓度远大 ...

说得很好
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拥抱真是个奇怪的东西，明明靠的那么近，却看不见彼此的脸
14楼2010-03-14 21:44:10
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