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guifan

木虫 (著名写手)

与金属的离域性强有关系
smearing
41楼2010-05-22 21:04:38
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acridine

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★
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zzy870720z(金币+3):鼓励分享自己的经验,谢谢 2010-05-23 09:55:44
引用回帖:
Originally posted by guifan at 2010-05-22 07:54:04:

我想说一下,这个解释是不对的

哦,那还真得听听创藤的解释了,希望快点介绍
不过你提到金属离域性强和smearing,不知道是什么意思。这个顶多可以看成我们为啥要设置nband,而不是nband的物理意义。至于smearing,我的理解是smearing是这个含义的,它让fermi能级之上的band也有一定的占据几率,这样做是为了在Ef处有简并时的收敛。
如果按照我的理解,nband也是出于这个原因才引入的,基本思想就是由于金属在Ef处是电子态是比较复杂的,因此为了能处理得好,就多考虑几条能带吧,这就是使用empty band的原因了,而如果这些band 仅仅被计算却不被占据,也不改变能量scf过程啊,那么就smearing吧。所以这两个参数的增加都是可以有利于加速收敛的,但却有个小矛盾的地方,那就是smearing的增加使原本的empty band被占据了,所以在empty band不足时才会提示考虑增加empty band或减小smearing
个人理解,期待您带来更新的解释
42楼2010-05-22 21:52:33
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guifan

木虫 (著名写手)

引用回帖:
Originally posted by acridine at 2010-05-22 21:52:33:


哦,那还真得听听创藤的解释了,希望快点介绍
不过你提到金属离域性强和smearing,不知道是什么意思。这个顶多可以看成我们为啥要设置nband,而不是nband的物理意义。至于smearing,我的理解是smearing是这 ...

我同意你的看法

这个问题总算越来越明朗了
43楼2010-05-22 23:51:19
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carlaty

金虫 (正式写手)


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引用回帖:
Originally posted by guifan at 2010-05-21 21:34:39:
本周二,创腾公司宣讲团来我们学校宣讲
我特意问了一下他们的技术人员这个问题
他们的技术人员给我解释了一番,现在原理基本弄懂,但是具体怎么设置他们也没有概念

西工大的同仁?
44楼2010-05-23 08:49:12
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wzh上善若水

木虫 (著名写手)


lvjian8596(金币+1):感谢交流!鼓励发有价值的话题! 2010-06-25 15:24:02
不论是金属还是绝缘体,都需要一定的空带,这个主要是前几步自洽的时候,空带是有占据的。要计算一些光频的性质时,如介电常数,应该多加空带,我计算时一般设为20
知 止 而 后 有 定 ; 定 而 后 能 靜 ; 靜 而 后 能 安 ; 安 而 后 能 慮 ; 慮 而 后 能 得
45楼2010-06-25 14:25:04
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awmc2008

至尊木虫 (文坛精英)

学习者

★ ★
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hedaors(金币+1):谢谢交流 2010-06-25 22:53:52
我理解是空带越多越接近完备,但计算时间增大。
xuexizhe
46楼2010-06-25 22:48:36
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wjqhp

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
比较深入的讨论,没有看明白,决定跟踪此贴,期待更大大牛加入讨论,顶一下
QQ:584473782欢迎访问http://leorunfast.wordpress.com
47楼2010-06-27 00:44:24
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Gina88

木虫 (正式写手)


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引用回帖:
Originally posted by vasp001 at 2010-05-20 17:17:04:
对于金属和窄带隙半导体而言,如果没有空带,自洽迭代的速度会显著降低。

是不应该是收敛速度低啊。
48楼2010-10-09 09:41:50
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qiudong1009

金虫 (小有名气)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
对于绝缘体,在SCF设置中,勾选fix occupancy以后,在计算band structure和optical properties时,空带该如何选择呢?我每次计算都使用了默认值12,我算的是氮化硅体系,求大侠指导!
克己
49楼2011-01-12 15:11:25
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guifan

木虫 (著名写手)


zzy870720z(金币+1):谢谢回复 2011-01-13 08:01:13
引用回帖:
Originally posted by qiudong1009 at 2011-01-12 15:11:25:
对于绝缘体,在SCF设置中,勾选fix occupancy以后,在计算band structure和optical properties时,空带该如何选择呢?我每次计算都使用了默认值12,我算的是氮化硅体系,求大侠指导!

看看计算得到的.castep文件中是否有相应的警告,一般指定的空带数太少会出现警告,若没有警告的话,一般问题不太大
50楼2011-01-12 22:23:42
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