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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Siesta&Smeagol&Atk » 【求助】Siesta赝势文件的生成和测试判断标准
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wangle_xq

银虫 (小有名气)

[交流] 【求助】Siesta赝势文件的生成和测试判断标准已有3人参与

最近一段时间正在研究Siesta。编译成功以后就是赝势的生成了。

我的问题就是如何判断Siesta的赝势是否合适。
按照手册上的说法，如果AE(全电子)-PT(测试)小于等于1mRy就是好的势。

从结果上看要如何判断？
我贴出了Cu的势文件生成测试过程，和测试结果。各位帮忙看看这样的结果算不算一个合适的势。

先来介绍我的赝势是如何生成的。
在~/atom/文件夹下运行
CODE:
# make

得到atm程序
进入文件夹~/atom/Tutorial/Cu运行命令
CODE:
# ../pg.sh Cu.3dtm2.inp

Cu.3dtm2.inp文件内容
CODE:
#
# Cu
#
   pg      Cu with 3d states in valence (as in TM paper)
        tm2     2.60
n=Cu c=car     
       0.0       0.0       0.0       0.0       0.0       0.0
    5    3
    4    0      1.00      0.00
    4    1      0.00      0.00
    3    2     10.00      0.00
      2.10      2.30      2.10     

#23456789012345678901234567890123456789012345678901234567890

建立文件Cu.test.inp(文件内容见附件)运行命令
CODE:
# ../pt.sh Cu.test.inp Cu.3dtm2.vps
#grep '&d' OUT

得到以下输出
CODE:
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu GS 3d10 4s1                                  &v&d
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu 3d9 4s1 4p1                                  &v&d
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu 3d9 4s1                                      &v&d
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu 3d9 4s2  *** sd transfer                     &v&d
&d total energy differences in series
&d          1        2        3        4
&d  1    0.0000
&d  2    0.5108   0.0000
&d  3    0.8759   0.3651   0.0000
&d  4    0.1495  -0.3613  -0.7264   0.0000
*----- End of series ----* spdfg &d&v
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu GS 3d10 4s1                                  &v&d
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu 3d9 4s1 4p1                                  &v&d
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu 3d9 4s1                                      &v&d
ATM 3.2.2  9-DEC-09     Cu 3d9 4s2  *** sd transfer                     &v&d
&d total energy differences in series
&d          1        2        3        4
&d  1    0.0000
&d  2    0.5193   0.0000
&d  3    0.8844   0.3651   0.0000
&d  4    0.1548  -0.3645  -0.7296   0.0000
*----- End of series ----* spdfg &d&v
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网络日志 http://blog.163.com/wangle_xq/ 关注计算材料科学的应用，以及相关的计算机技术。文章以转贴为主，少量原创。欢迎参观
1楼2009-12-10 08:27:21
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zhangguangping

木虫 (著名写手)
★
ice_rain(金币+1):xiexie~ 2010-04-04 09:31
俺觉得首先是与全电子计算的比较一下，觉得非常相近了，再去拿着做测试！看一看到底适合不适合计算！
赞一下(1人) 回复此楼
弘德明志博学笃行
13楼2010-04-03 23:07:19
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查看全部 15 个回答

fanchen021

铁杆木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):谢谢 12-10 20:47
wangle_xq(金币+2,VIP+0):感谢讨论 12-11 23:33
用生成的赝势就算一个 dimer Cu的键长，跟实验值比一比，误差在20%以内就可以接受了。
赞一下(14人) 回复此楼
2楼2009-12-10 15:10:37
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wangle_xq

银虫 (小有名气)
★
fegg7502(金币+1,VIP+0):鼓励交流2 12-13 16:35
引用回帖:
Originally posted by fanchen021 at 2009-12-10 15:10:
用生成的赝势就算一个 dimer Cu的键长，跟实验值比一比，误差在20%以内就可以接受了。

手册上也看到这么一句："The real proof of good transferability, remember, can only come from a molecular or solid-state calculation"

应该说的就是楼上的意思吧。那自带的这个判断结果怎么样呢？
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3楼2009-12-10 23:47:32
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wangle_xq

银虫 (小有名气)
自己顶一下。还没得到回答啊
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4楼2009-12-12 21:28:59
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