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专业: 半导体材料
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小木虫(金币
+0.5
):给个红包,谢谢回帖交流
用GGA-PBE泛函计算的wurtziteZnO的带隙是0.73eV (C. G. Van de Walle组PRB上的文章)。你要大于1eV,用杂化泛函或者加U。LDA或者GGA是不能让它的带隙大一1eV的,无论你选择什么势。这是一个很热门的材料,物理评论上面和APL上面关于它的计算方面的文章很多,你可以看看他们计算的带隙是多少了。
[
Last edited by stractor on 2010-5-9 at 09:52
]
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21楼
2010-05-09 09:47:57
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