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新虫 (正式写手)

[交流] 【求助】我是个做实验的菜鸟,问个关于极化度的问题

磁矩定义为自旋向上电子个数与自旋向下电子个数的差别,而极化度有定义为这个差数与总电子数的比值,是不是每个原子的磁矩增加了,计划度一定提高?
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新虫 (正式写手)

是不是这样,磁矩既可以有巡游电子贡献,也可以有局域电子贡献,如果磁矩的增加是由局域的那部分电子贡献,那么虽然每个原子的磁矩增加了,但是极化度仍然有可能不变,不知道这样理解对么?
3楼2009-10-04 11:58:40
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新虫 (正式写手)

我的意思是这样的,就是磁矩增加了,但是增加的这部分磁矩是有较为内层的电子自旋取向不一样导致的,而这部分电子不参与导电,因为它在内层,被原子束缚的牢固。所以自旋极化并没改变,通常所说的自旋极化好象是费米面处参与导电 电子的极化,这样理解有问题么?
5楼2009-10-04 14:10:58
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新虫 (正式写手)

是这样的,我们做实验的,关心的是导电电子的自旋极化问题,因为这个可以通过实验测试出来(有现成的实验方法可寻)。对实验中的一种材料,我们发现改变一些生长参数,他的磁矩变大了,从理论上讲他的导电的自旋极化(就是实验测量得到的)是变高,还是有可能不变,这能从理论上计算出来么?
7楼2009-10-04 16:16:51
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新虫 (正式写手)


fegg7502(金币+1,VIP+0):鼓励交流2 10-4 18:36
现在做稀磁半导体的掺杂,好象计算掺杂都很多0.1左右,或者至少也得百分之几,如果掺杂千分之几,是不是计算起来特别复杂?输运电子的极化度通过第一原理也能算出来,就是费迷面处两种自旋的差别,那这样千分之几的理论上也能算,只是要建一个超元胞,里边有一千个原子,那一般的服务器能算么?
9楼2009-10-04 16:43:17
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新虫 (正式写手)


fegg7502(金币+1,VIP+0):鼓励交流2 10-4 18:36
还有现在做自旋注入,大家关心的也是输运极化度(费米面处UP 和DOWN 的差别)吧,不然极化度再高,没有办法注入到半导体里边,也没用,是这样么?
10楼2009-10-04 16:46:47
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新虫 (正式写手)


zdhlover(金币+1,VIP+0):欢迎常来交流 10-9 01:03
这个应该是增加吧TMR=2P1P2/(1-P1P2)。
12楼2009-10-09 19:34:57
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新虫 (正式写手)

但总之极化度增加对TMR 的增加肯定回有利啊,
14楼2009-10-10 10:54:35
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