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bote

at which temperature did you make measurements?

★ ★
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ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢 9-21 20:18
only heard what you observed resulting from temperature change. have you nulled  your voltmeter before a magnetic field is going to be applied to your sample?
11楼2009-09-21 11:17:30
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fah

铁杆木虫 (著名写手)

表面磨磨在测试看看
12楼2009-09-21 18:29:40
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wsh8511

金虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
影响样品测试结果的因素很多,你在低磁场下测得的n型(假设)重复行高嘛?比如侧个5-6次结果都一样嘛?再比如换用不同档位的电流测试结果仍然一致吗?

同样,高磁场下也要回到上述的问题

回答了这两个问题后,才可以提出来你的问题“低磁场下是一种类型,而高磁场下是另一种类型”

[ Last edited by wsh8511 on 2009-9-26 at 21:23 ]
13楼2009-09-26 21:22:02
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wuhongleiz

银虫 (小有名气)

低磁场下重复几次的结果都是P型;高磁场下有个别时候显示N型。
14楼2009-09-29 08:32:30
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在天涯

铁杆木虫 (知名作家)


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样品好的话霍尔效应是可以侧好的,样品的问题?还是磁场太大了?多查找一下。祝福你
15楼2009-09-29 09:30:47
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exciton-wu

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
你是用范德堡法测的吗?范德堡发对样品的均一性要求较高,比如说样品要单连通(无空孔或高阻区),厚度均一性优于1%。此外,如果你的样品在厚度方向上不均一,比如说,界面层的电学和薄膜主体不一致,而且占有相当的比重。界面层和主体在不同磁场下的霍尔电压变化趋势不同,就导致了高场和低场下总的霍尔电压改变符号,出现你说的情况。
霍尔测量的磁场,3000-6000gauss是合理的
我有三宝,持而保之.一曰慈,二曰俭,三曰不敢为天下先---道德经
16楼2009-09-29 21:26:56
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lszzcai

铜虫 (小有名气)


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我在半导体所测试时,他们给加的磁场是5000 Oe
一日复一日,一天就没了
17楼2009-09-29 21:37:11
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