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shinejesse金虫 (小有名气)
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shinejesse
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1. 我使用的是waters micromass Quattro micro API tandem quadrupole system； 2. 样品离子化后通过z-spary进入质量分析器，我们的脱溶剂气的确是nubulizing gas not curtain gas；他们之间有啥区别吗？ 3. “declustering？有什么实例可以支持一下你的结论吗？”经常建议是加热可以减少干扰。你的建议也是对的。 4. “解吸 (desorption) 是指样品从附着的表面脱离，是在电喷雾过程中实现的，与In-source CID没什么关系。”如果如此那我有点不理解in-source CID的用处了，正好设置在取样锥孔处，应该与离子化有关系的。希望得到你的详细描述？ 5. 如果你方便，十分希望能收到你收集的vertes论文。可能有的不能下来。 6. 很高兴和你交流了 呵呵 收益良多 |
14楼2009-09-08 21:11:29
shinejesse
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opq691(金币+1,VIP+0):谢谢回帖交流 9-8 11:31
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CID 英文是 collision－induced dissociation 碰撞诱导解离。通常在真空接口处调节电压发生CID现象，一般是去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。这是一级质谱的原理。CAD collision-activated dissociation 碰撞活化解离。 做二级质谱时，应该是发生在Q2处吧，选择的母离子的进入Q2后 碰撞活化产生子离子，这个过程称为 CAD。 我们用的API3200，CID指的是Q0里面的诱导碰撞的气体，CAD指的是Q3里面的诱导碰撞气体，也就是说，API里的CID&CAD都是指氮气。 还有一种叫作：源内CID 在串联质谱还不普及的三年前，很多人夸大单级质谱的作用，比如：单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF，说，液质你不是只看到分子离子峰么？你不是需要更多的碎片信息么？这里，我就可以做CID（其实是源内CID），给你想要的碎片。然后，他就拿一张标样的图，给你show一下，显示低电压时是分子离子峰，提高skimmer或orifice电压后，就可以得到碎片峰。 后来，人们在真正实验中，认识到我们其实不是在做标样，液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大，如果不分离出要的离子，直接作CID，会给出一系列不能解释的峰。 所以，现在大家都喜欢LCMSMS了。 在串联四极杆中，源内CID指在离子源内加一定的电压（Source CID），对化合物的离子化进行优化，可减弱溶剂加合离子的影响。 对于Thermo的TSQ仪器，Source CID建议设置在8-12之间，此外加不加Source CID对信号影响应在20％左右，否则可能是仪器出现问题的征兆。 源内CID不能取代LC-MS-MS（即真正的CID或CAD） |
2楼2009-09-05 22:25:07
3楼2009-09-06 11:22:11
shinejesse
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4楼2009-09-06 15:24:15