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ljjbpp

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】LED欧姆接触特性的测量

各位大侠,兄弟我想测LED芯片的欧姆接触特性,现在有定量的和定性的方法,因为我有的芯片200*200的,电极为圆形的,每个芯片的距离固定,想定量测试N面比接触电阻,该怎么测呢?想测N型欧姆接触的I-V曲线,又该怎么搞呢?因为我的芯片P面的欧姆接触也已经做好了,怕测N面的比接触电阻受P面的影响。


就是下面这种芯片,相当于芯片已经做成了,想测N型接触电阻,上面圆的是Al电极,四周和电极之外是绝缘层,芯片下面的p面的欧姆接触,现在想测N面的比接触电阻,或者是N型欧姆接触的I-V曲线。该怎么测,最好呢!

[ Last edited by ljjbpp on 2009-8-9 at 11:11 ]
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女人能讲讲道理多好!
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ljjbpp

木虫 (正式写手)

没人回答,呵呵,
女人能讲讲道理多好!
3楼2009-08-12 18:04:14
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dawnlight

荣誉版主 (职业作家)

小木虫小小版主

可以把问题说的清楚点,让器件方面的专家来看看。
姿曰:年轻会结束,在结束以前,把想做的事做完吧!
2楼2009-08-09 10:47:44
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bote

★ ★
zt970831(金币+2,VIP+0):感谢您的交流 8-21 18:16
it seems difficult as the other part of the top surface has been passivated. However, you can use four the nearest chips to measure the contact resistance between the electrode and top layer of your LED chip (which is of N-type from your intro).
4楼2009-08-20 00:01:31
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COOLT

木虫 (著名写手)

如楼上所说,可以用四探针法测吧。
如果你想精确测量,消除P面得影响,建议你重新用一个无任何工艺的外延片,然后只在N面做几个条形的相互独立的电极,然后测量这几个电极之间的电阻就可以了!
comeon!
5楼2009-08-20 07:58:38
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