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Iris9999

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
10楼: Originally posted by dielectric1 at 2020-08-29 23:48:32
空位一般都会导致低配位,但是低配位不一定都是空位造成的,比如表面或者边缘就会有很多低配位原子。...

那非晶态金属氧化物中的低配位氧呢?属于空位吗?或者说可以理解为没有束缚电子的那种氧空位,所以导致它在XPS结果中结合能的位置要高于氧空位?

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11楼2020-09-02 10:55:49
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Iris9999

铁虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
10楼: Originally posted by dielectric1 at 2020-08-29 23:48:32
空位一般都会导致低配位,但是低配位不一定都是空位造成的,比如表面或者边缘就会有很多低配位原子。...

也就是说,空位是由原本完好的晶格结构中缺失了一部分而形成的,而低配位是根本就形不成完好的晶格结构?两者主要是形成过程的差别导致了结构上的差异?

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12楼2020-09-02 10:59:31
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13楼2020-09-17 07:37:15
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14楼2020-10-03 15:43:49
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15楼2020-10-19 09:43:56
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16楼2020-11-10 12:24:46
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17楼2020-11-26 07:38:13
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18楼2020-12-14 11:17:05
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19楼2021-01-16 11:40:03
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20楼2021-02-02 17:49:28
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