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ljjbpp木虫 (正式写手)
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【求助】费米能级顶扎
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| It is generally believed that, due to substantial ionic components of the bonds in GaN, the Fermi level at the metal–nitride interface is unpinned. However, GaN surface exhibits active chemisorption,16 which leads to the formation of surface native oxides and hydroxides. 大家说说费米能级顶扎是怎么回事？为什么GaN大的离子性就导致它费米能级的不顶扎？搞不懂，谢谢大家回帖。 |
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userhung
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根据Fermi分布函数 fe=1/{1+exp[(E-Ef)/kT]}， 其中fe表示电子占据能量为E处能及附近的几率值。E=Ef时，fe=1/2，即电子占据Fermi能级附近的几率为50%。用更方便的形式表示出来，以表示位于一定能量为Et表面态中已占据态nt与未占据态Pt在平衡时之间的比值，即 nto/np0=exp[-(Et-Ef)/kT]，Pt0=Nt-nt0， 其中Nt为总状态数。这里用还原剂的表面浓度[Red]代表已占态浓度nt，用氧化剂的表面浓度[ox]代表未占态的浓度Pt。这样第二式就变为 Ef=Et+kT ln[Red]/[ox] 这样明显看出：可能会导致一个被成为Fermi能级的“钉住”的重要现象。 |
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ljjbpp
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