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【转帖】VASP电荷密度差的计算
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VASP电荷密度差的计算 在文献中，经常见到利用电荷密度差(charge density difference)来分析成键的过程或是结构弛豫前后电荷的转移，当然，也有人用来分析基态和激发态的电荷分布差别等情况。不过，尽管似乎都叫“电荷密度差”，但具体的定义是不大一样的。 这里主要是讨论在VASP中如何得到用来分析成键前后电荷转移的电荷密度差。 此时电荷密度差定义为： delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom 其中 RHO_sc 为自洽的面电荷密度，而 RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的，即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。 不同晶面的 RHO_sc 可由自洽计算的CHG或CHGCAR得到； 而计算 RHO_atom 所需的 CHG 或 CHGCAR 可由下述非自洽计算得到: 仍使用原来自洽计算时的四个输入文件，但INCAR中需要设置 ICHARG=12 和 NELM=0，其他设置不变。 需要特别注意的，应保持前后两次计算（自洽和非自洽）中的 FFT-mesh 一致。因为，只有维数一样，我们才能对两个RHO作相应的矩阵相减。不过，只要按上一段提到的设置方法做就行了，无须特别增加别的设置。 数据处理： 矩阵相减：使用MatLab或是自已写个小程序。 作图：Origin 或 MatLab。 [ Last edited by wuli8 on 2009-11-3 at 12:02 ] |
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