| 查看: 11098 | 回复: 22 | |||||||||||
| 【奖励】 本帖被评价16次，作者zdhlover增加金币 12.45 个 | |||||||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||||||||
[资源]
【分享】用VASP进行Partial Charge分析实例
|
|||||||||||
|
[分享] 用VASP进行Partial Charge分析实例 VASP Version : 4.6 在这篇文章中，我将首先介绍Partial Charge的概念，以及如何用VASP具体的计算Partial Charge。首先，所谓的Partial Charge是针对与Total Charge来说的，指的是某个能量范围、某个K点或者某个特定的态所对应的电荷密度。在文献中最常见的是价带顶部，导带底部，表面态或者局域态所对应的Partial Charge。通过分析这些态所对应的Partial Charge，可以得到体系的一些性质，比如局域态具体的是局域在哪个原子上等。我将通过具体的例子说明如何用VASP进行Partial Charge Analysis。 进行Partial Charge Analysis的第一步是进行自洽的计算，得到体系的电子结构。这一步的计算采用通常的INCAR和KPOINTS文件。在自洽计算结束后，我们需要保存WAVECAR文件。（通过在INCAR文件中设置LWAVE=TRUE实现）在这个例子中，假设我们需要计算一个硅纳米线的导带和价带的Partial Charge。硅纳米线的结构如下： 第二步是画出能带结构，以决定你需要画哪条能带的那个K点的态所对应的Partial Charge。关于具体如何用VASP画能带，请参见用VASP4.6计算晶体硅能带实例一文。我们得到硅纳米线的能带结构如下： 画能带时有些小技巧。你可以用一些支持列模块的编辑器，如UltraEdit，将OUTCAR里的各个K点所对应的本征值粘贴到Origin中。这一步完成后，在Origin中做一个矩阵转置，然后将K点坐标贴到第一列，并将其设为X坐标。如此画出来的基本上就是能带图了。在Origin中可以通过设置纵轴范围来更加清楚的区分费米能级附近的各条能带。如上的硅纳米线所对应的能带结构图如下： 决定画哪条能带，或者那些感兴趣的K点之后，有如下几种方法计算不同的Partial Charge。如果你希望计算价带顶端的Partial Charge，则需要首先通过能带结构图确定价带的能带标号。需要注意，进行Partial Charge分析必须要保留有自洽计算的WAVECAR才可以。 第一种Partial Charge分析的INCAR ISTART = 1 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const LPARD=.TRUE. IBAND= 20 21 22 23 KPUSE= 1 2 3 4 LSEPB=.TRUE. LSEPK=.TRUE. 这样的INCAR给出的是指定能带，指定K点所对应的Partial Charge。分析导带、价带等的Partial Charge特性，通常采用的都是这种模式。 第二种Partial Charge分析的INCAR ISTART = 1 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const LPARD=.TRUE. EINT = -10.3 -5.1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 这样的INCAR给出的是在[-10.3 -5.1]能量之间的Partial Charge。这种模式适合于分析某个能量区间内的波函数的性质。 第三种Partial Charge分析的INCAR ISTART = 1 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 1 charge: 1-file 2-atom 10-const LPARD=.TRUE. NBMOD=-3 EINT = -1 LSEPB=.FALSE. LSEPK=.FALSE. 这样的INCAR给出的是从[Ef-1.0 Ef]能量之间的Partial Charge。这种模式最利于分析费米面附近的波函数的性质。 用第一种方法，我们可以得到硅纳米线价带顶部和导带底部的Partial Charge如下： [注意]此文的部分结果将发表于Phys. Rev. B |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 VASP | 第一性原理相关文档 | vasp | Photochemistry |
| VASP相关 | siesta & vasp | 概念教程等 | VASP计算方法 |
| VASP blabla |
» 猜你喜欢
317求调剂
已经有7人回复
-
复试调剂，一志愿南农083200食品科学与工程
已经有4人回复
-
一志愿太原理工安全工程300分，求调剂
已经有3人回复
-
284求调剂
已经有11人回复
-
食品工程专硕求调剂
已经有3人回复
-
324求调剂
已经有7人回复
-
一志愿武汉理工，总分321，英一数二，求老师收留。
已经有4人回复
-
287求调剂
已经有7人回复
-
325求调剂
已经有5人回复
-
343求调剂
已经有4人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 求vasp输出文件的分析
已经有5人回复
- 【求助】怎样用vasp计算charge transfer
已经有10人回复
- 关于用origin画Si能带图时特殊点纵轴的添加
已经有10人回复
- vasp 计算 partial charge 时k点选取的问题
已经有19人回复
- 三种charge density的区别？
已经有21人回复
- vasp画能带图的疑问
已经有12人回复
- charge的意义 高分求解
已经有5人回复
- vasp计算能带，刚开始就服务器就卡了
已经有20人回复
- vasp计算中，如何选择正确的K点
已经有7人回复
- 请问用vasp做charge density difference步骤是什么
已经有14人回复
- 能带计算 vasp
已经有11人回复
- 分享vasp的一些可用的免费资源（入门级）
已经有79人回复
- Bader charge analysis 资料
已经有684人回复
- VASP 算不准氧气键能
已经有16人回复
- 用vasp计算能带结构时报错
已经有5人回复
- 【求助】vasp计算Partial Charge，能带交叉的如何确定IBAND？
已经有13人回复
- 【求助】请教vasp如何使本征值按每条能带输出
已经有18人回复
15楼2011-03-31 15:12:22
5楼2009-06-30 16:33:11
7楼2009-09-01 05:10:29
10楼2009-09-05 11:25:05
5