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smlcu

木虫 (著名写手)

[交流] 【求助】半导体材料禁带宽度问题

同一种半导体材料,影响其禁带宽度的因素有哪些?例如:同一种材料,XRD一样(风强弱有些许差别), 但形貌不一样,一种为长棒(几微米)很细,一种为短棒(1微米)很粗,然后用DRS测其禁带宽度相差近0.9eV,前者小,后者大,请问各位大侠有知道怎么解释的么? 或有没有看到过类似的文献? 应该不是量子效应引起的,因为都没有那么小。
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人在江湖漂,早晚撞上刀。。。
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tan-tt

木虫 (小有名气)

掺杂能变化这么大吗?0.9eV,DRS是什么?会不会是测错了?
8楼2009-05-24 12:10:48
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gdfollow

至尊木虫 (著名写手)

东方洛克博


smlcu(金币+1,VIP+0):en 5-13 17:40
掺杂会使半导体禁带宽度变小
破马长枪立乾坤
2楼2009-05-13 01:47:46
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Block

铁杆木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
smlcu(金币+2,VIP+0):3Q 5-13 17:40
zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流 5-13 21:31
dawnlight(金币+2,VIP+0):3x,感谢分享~,欢迎常来 5-15 10:30
在1微米量级不大可能是量子效应引起的能隙宽化,
你查一下你这种材料的本征能隙是多大,
如果其中较小的结果比本征能隙小很多,可能是深能级杂质导致的
如果本征能隙与较小的结果接近,说明另一个结果出现了很大的宽化,一般很少见
宽化的原因很多,其有一个是布尔斯坦效应
布尔斯坦效应会使光学能隙宽化,可能出现在载流子浓度很大的半导体中,重掺杂半导体中也可能出现布尔斯坦效应

如果你制的样品很不纯,或物质成分很不均匀,那就没什么好说的了

[ Last edited by Block on 2009-5-13 at 11:13 ]
3楼2009-05-13 11:05:48
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cord

铁杆木虫 (著名写手)



zt970831(金币+1,VIP+0):感谢您的交流 5-13 21:31
也可能变宽
比如非晶硅中掺碳。
引用回帖:
Originally posted by gdfollow at 2009-5-13 01:47:
掺杂会使半导体禁带宽度变小

4楼2009-05-13 20:57:00
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