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smlcu

木虫 (著名写手)

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[交流] 【求助】半导体材料禁带宽度问题

同一种半导体材料，影响其禁带宽度的因素有哪些？例如：同一种材料，XRD一样（风强弱有些许差别），但形貌不一样，一种为长棒（几微米）很细，一种为短棒（1微米）很粗，然后用DRS测其禁带宽度相差近0.9eV，前者小，后者大，请问各位大侠有知道怎么解释的么？或有没有看到过类似的文献？应该不是量子效应引起的，因为都没有那么小。

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人在江湖漂，早晚撞上刀。。。

1楼 2009-05-12 22:31:34

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至尊木虫 (著名写手)

东方洛克博

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smlcu(金币+1,VIP+0):en 5-13 17:40

掺杂会使半导体禁带宽度变小

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破马长枪立乾坤

2楼2009-05-13 01:47:46

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铁杆木虫 (正式写手)

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zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流 5-13 21:31
dawnlight(金币+2,VIP+0):3x,感谢分享~，欢迎常来 5-15 10:30

在1微米量级不大可能是量子效应引起的能隙宽化，
你查一下你这种材料的本征能隙是多大，
如果其中较小的结果比本征能隙小很多，可能是深能级杂质导致的
如果本征能隙与较小的结果接近，说明另一个结果出现了很大的宽化，一般很少见
宽化的原因很多,其有一个是布尔斯坦效应
布尔斯坦效应会使光学能隙宽化，可能出现在载流子浓度很大的半导体中，重掺杂半导体中也可能出现布尔斯坦效应

如果你制的样品很不纯，或物质成分很不均匀，那就没什么好说的了

[ Last edited by Block on 2009-5-13 at 11:13 ]

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3楼2009-05-13 11:05:48

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