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smlcu木虫 (著名写手)
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【求助】半导体材料禁带宽度问题
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| 同一种半导体材料，影响其禁带宽度的因素有哪些？例如：同一种材料，XRD一样（风强弱有些许差别）， 但形貌不一样，一种为长棒（几微米）很细，一种为短棒（1微米）很粗，然后用DRS测其禁带宽度相差近0.9eV，前者小，后者大，请问各位大侠有知道怎么解释的么？ 或有没有看到过类似的文献？ 应该不是量子效应引起的，因为都没有那么小。 |
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 薄膜XRD | 生活 |
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5楼2009-05-15 08:17:17
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2楼2009-05-13 01:47:46
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在1微米量级不大可能是量子效应引起的能隙宽化， 你查一下你这种材料的本征能隙是多大， 如果其中较小的结果比本征能隙小很多，可能是深能级杂质导致的 如果本征能隙与较小的结果接近，说明另一个结果出现了很大的宽化，一般很少见 宽化的原因很多,其有一个是布尔斯坦效应 布尔斯坦效应会使光学能隙宽化，可能出现在载流子浓度很大的半导体中，重掺杂半导体中也可能出现布尔斯坦效应 如果你制的样品很不纯，或物质成分很不均匀，那就没什么好说的了 [ Last edited by Block on 2009-5-13 at 11:13 ] |
3楼2009-05-13 11:05:48
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4楼2009-05-13 20:57:00
