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【讨论】charge difference density 电荷密度差
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| 请问有spin difference density 自旋密度差 吗? 谢谢 |
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 VASP |
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050610727
木虫 (著名写手)
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sunray55(金币+1):谢谢参与
sunray55(金币+1,VIP+0):thanks again 5-4 19:59
sunray55(金币+1):谢谢参与
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存在自旋密度差 啊 请看下面的论述： 如何作出自旋差分(up-dn)电荷密度图(Electron Density) 1、LAPW5程序：该程序可在选定的二维平面网格上生成电荷密度或势文件case.rho，通过绘图软件可以将该数据文件用等高线表示出来。通过设置输入文件，可以得到价态密度(case.clmval)或差分密度等。对于自旋极化计算，可以得到up-,dn-以及总的密度，也可以得到自旋密度差(up-dn)。通过修改lapw5.def文件和替换case.clmval为相应的其它文件名，可以获得总电荷密度(case.clmsum)，库仑(case.vcoul)、交换-关联(case.r2v)或总的势(case.vtotal)。 2、case.rho文件： 第一行：npx:沿选定的二维面x轴方向的格点数； npy:沿选定的二维面y轴方向的格点数； xlength:x轴长度； ylength:y轴长度。 第二行：对应格点的密度或势的数值,按下列格式写入： write(21,11) ((charge(i,j),j=1,npy),i=1,npx) 11 format(5e16.8) 3.Input文件case.in5说明： ---------------- top of file: case.in5 -------------------- 0 0 0 1 # 所选二维平面风格的起点坐标，后一数为分数坐标的分母, 此处的起点为(0/1,0/1,0/1) 1 1 0 1 # 所选二维平面的x轴终点,此处为(1/1,1/1,0/1) 0 0 1 2 # 所选二维平面的y轴终点,此处为(0/2,0/2,1/2) 3 3 3 # 指定最近邻晶胞的数目 100 100 # 所选二维平面沿x方向的格点数和y方向的格点数 RHO # RHO/DIFF/OVER：分别不使用原子电荷密度或势/差分密度 (晶胞密度-组成晶胞原子的密度,需要case.sigma文件)/组成 晶胞的原子密度(需要case.sigma)；NO (or blank)/ADD/ SUB:只使用unit9文件/将unit9和unit11文件相加(例：对于 自旋极化，用此可实现up+dn密度从而得到总密度/将unit9和 unit11文件相减(例：对于自旋极化，用此可实现up-dn密度 从而得到自旋差分密度 (uiitx所代表的文件名可从lapw5.def 中查看或修改) ANG VAL NODEBUG # ANG/ATU:指定使用的单位； VAL/TOT：；DEBUG/NODEBUG： 指定是否输出调试信息 NONORTHO # ORTHO|NONORTHO：选定的二维面两坐标正交(垂直)|非正交 ------------------- bottom of file ------------------------ 实例：生成AlMgN的自旋差分电荷密度(up-dn)图(所用模型为2x2x2 wz-AlN)： 1。自洽循环(runsp_lapw) 2。编辑in2c文件：将第二行的-9.0改为-1.0 3。x lapw2 -c up -p 4。编辑AlMgN.in5c: ===========AlMgN.in5c============ 8544090 4375050 1674430 10000000 1027300 511910 367970 10000000 8546810 4273390 6114500 10000000 3 2 3 500 500 RHO DIFF ANG VAL NODEBUG NONORTHO ================================= 5。x lapw5 -c up 6。绘图:结果保存在AlMgN.rho文件中，可将此文件数据导入绘图软件(如Origin) 中绘出等高线图。   [ Last edited by 050610727 on 2009-5-4 at 18:51 ] |
2楼2009-05-04 18:49:33
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个人感觉似乎不是我想说的spin difference density 只是通常说的自旋密度 spin density (up-dn), 电荷密度 (up+dn) 这儿有一篇关于如何得到charge difference density的文章: "how to ansys charge density difference wonvein 发表于 2008-3-19 16:56:00 在文献中，经常见到利用电荷密度差(charge density difference)来分析成键的过程或是结构弛豫前后 电荷的转移，当然，也有人用来分析基态和激发态的电荷分布差别等情况。不过，尽管似乎都叫“电荷密 度差”，但具体的定义是不大一样的。 这里主要是讨论在VASP中如何得到用来分析成键前后电荷转移 的电荷密度差。 此时电荷密度差定义为： delta_RHO = RHO_sc - RHO_atom 其中 RHO_sc 为自 洽的面电荷密度，而 RHO_atom 为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的 ，即为原子电荷密度的叠加(a superposition of atomic charge densities)。 不同晶面的 RHO_sc 可由自洽计算的CHG或CHGCAR得到； 而计算 RHO_atom 所需的 CHG 或 CHGCAR 可由下述非自洽计算得 到: 仍使用原来自洽计算时的四个输入文件，但INCAR中需要设置 ICHARG=12 和 NELM=0，其他设置不 变。 需要特别注意的，应保持前后两次计算（自洽和非自洽）中的 FFT-mesh 一致。因为，只有维数 一样，我们才能对两个RHO作相应的矩阵相减。不过，只要按上一段提到的设置方法做就行了，无须特别 增加别的设置。 " 我想问是否有同样的方法得到自旋电荷密度差? 就是用自恰的"自旋"密度减去非自恰的"自旋"密度? 谢谢 |
3楼2009-05-04 20:14:39
Wanghui6383
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4楼2009-05-04 20:49:45
